4
www.fairchildsemi.com
fdh50n50 / fda50n50 rev. 一个
fdh50n50 / fda50n50 500v n-频道 场效应晶体管
典型 效能 特性
(持续)
图示 7. 损坏 电压 变化 图示 8. 在-阻抗 变化
vs. 温度 vs. 温度
图示 9. 最大 safe 运行 范围 图示 10. 最大 流 电流
vs. 情况 温度
图示 11. 典型 流 电流 斜度 图示 12. 典型 流-源 电压
vs. 门 阻抗 斜度 vs. 门 阻抗
-100 -50 0 50 100 150 200
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
注释 :
1. v
GS
= 0 v
2. i
D
= 250
µ
一个
BV
DSS
, (normalized)
流-源 损坏 电压
T
J
, 接合面 温度 [
o
C]
-100 -50 0 50 100 150 200
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
注释 :
1. v
GS
= 10 v
2. i
D
= 24 一个
R
ds(在)
, (normalized)
流-源 在-阻抗
T
J
, 接合面 温度 [
o
C]
10
0
10
1
10
2
10
3
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
10 美国
直流
10 ms
1 ms
100 美国
运作 在 这个 范围
是 限制 用 r
ds(在)
注释 :
1. t
C
= 25
o
C
2. t
J
= 150
o
C
3. 单独的 脉冲波
I
D
, 流 电流 [a]
V
DS
, 流-源 电压 [v]
25 50 75 100 125 150
0
10
20
30
40
50
I
D
, 流 电流 [a]
T
C
, 情况 温度 [
o
C]
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
注释 :
1. v
DS
= 400 v
2. v
GS
= 12 v
3. i
D
= 25a
4. t
J
= 125
o
C
!
dv/dt(止)
dv/dt(在)
dv/dt [v/ns]
R
G
, 门 阻抗 [
Ω
]
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50
0
500
1,000
1,500
2,000
2,500
3,000
3,500
4,000
注释 :
1. v
DS
= 400 v
2. v
GS
= 12 v
3. i
D
= 25a
4. t
J
= 125
o
C
di/dt(止)
di/dt(在)
di/dt [a/
µ
S]
R
G
, 门 阻抗 [
Ω
]
: 点此下载
