April1999
FDN359AN
n-频道 逻辑 水平的 powertrench
TM
场效应晶体管
一般 描述特性
绝对 最大 比率
T
一个
= 25
o
c 除非 其它 wise 指出
标识 参数 比率 单位
V
DSS
流-源 电压 30 V
V
GSS
门-源 电压 ±20 V
I
D
最大 流 电流 - 持续的(便条 1a) 2.7 一个
- 搏动 15
P
D
最大电源 消耗(便条 1a) 0.5 W
(便条 1b)
0.46
T
J
,t
STG
运行 和 存储 温度 范围 -55 至 150 °C
热的 特性
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面-至-包围的(便条 1a) 250 °c/w
R
θ
JC
热的 阻抗, 接合面-至-情况(便条 1) 75 °c/w
FDN359An rev.c
2.7一个, 30 v. r
ds(在)
= 0.046
Ω
@V
GS
= 10 v
R
ds(在)
= 0.060
Ω
@V
GS
= 4.5 v.
非常 快切换.
低 门 承担 (5nC典型).
高 电源 版本 的 工业 standard sot-23
包装. 完全同样的 管脚 输出 至 sot-23 和30% 高等级的
电源 处理 能力.
这个n-频道 逻辑 水平的 场效应晶体管是生产
使用 仙童 半导体's 先进的
powertrench 处理 那 有 被 特别 tailored
至 降低 在-状态 阻抗 和 还 维持
更好的 切换 效能.
这些 设备 是 好 suited 为 低 电压 和
电池 powered 产品在哪里 低 在-线条 电源
丧失 和 快 切换 是 必需的.
sot-23
SuperSOT
TM
-8
soic-16
所以-8
sot-223
SuperSOT
TM
-6
G
D
S
supersot -3
TM
359A
D
S
G
© 1999 仙童 半导体 公司
: 点此下载
