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资料编号:323451
 
资料名称:FDN359
 
文件大小: 264.85K
   
说明
 
介绍:
N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET
 
 


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FDN359An rev.c
0 0.5 1 1.5 2 2.5
0
2
4
6
8
10
12
v , 流-源 电压 (v)
i , 流-源 电流 (一个)
V=10V
GS
3.5v
3.0v
2.5v
6.0v
4.5v
DS
D
0 2 4 6 8 10 12
0.5
1
1.5
2
2.5
3
i , 流 电流 (一个)
流-源 在-阻抗
v = 3.0v
GS
3.5v
6.0v
4.5v
D
10V
4.0v
r , normalized
ds(在)
典型 电的 特性
图示 1. 在-区域 特性.
图示 2. 在-阻抗 变化 和
流 电流 和 门 电压.
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
t , 接合面 温度 (°c)
流-源 在-阻抗
J
v = 10 v
GS
i = 2.7 一个
D
r , normalized
ds(在)
图示 3. 在-阻抗 变化
和 温度
.
1 2 3 4 5
0
3
6
9
12
v , 门 至 源 电压 (v)
i , 流 电流 (一个)
GS
25°C
125°C
v = 5v
DS
D
t = -55°c
一个
图示 5. 转移 特性.
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
15
v , 身体 二极管 向前 电压 (v)
i , 反转 流 电流 (一个)
t = 125°c
一个
25°C
-55°c
v = 0v
GS
SD
S
0 2 4 6 8 10
0
0.03
0.06
0.09
0.12
0.15
v , 门 至 源 电压 (v)
GS
r , 在-阻抗 (ohm)
ds(在)
t = 25°c
一个
i = 1.3a
D
t = 125°c
一个
图示 6. 身体 二极管 向前电压
Variation和 源 电流
和 温度.
图示 4.在-阻抗
变化
门-至-源 电压.
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