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资料编号:323503
 
资料名称:FDP6030BL
 
文件大小: 401.43K
   
说明
 
介绍:
N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
 
 


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fdp6030bl/fdb6030bl
fdp6030bl/fdb6030bl rev.c
电的 特性
T
C
= 25
°
c 除非 否则 指出
Symbol 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
流-源 avalanche 比率
(便条 1)
W
DSS
单独的 脉冲波 流-源
avalanche 活力
V
DD
= 15 v, i
D
= 40 一个 150 mJ
I
AR
最大 流-源 avalnche 电流
40 一个
止 特性
BV
DSS
流-源 损坏 voltage
V
GS
= 0 v, i
D
= 250
µ
一个
30 V
BV
DSS
T
J
损坏 电压 温度
系数
I
D
= 250
µ
一个, 关联 至 25
°
C
23
mv/
°
C
I
DSS
零 门 电压 流 电流 V
DS
= 24 v, v
GS
= 0 v 1
µ
一个
I
GSSF
门-身体 泄漏 电流,
向前
V
GS
= 20 v, v
DS
= 0 v 100 nA
I
GSSR
门-身体 泄漏 电流,
反转
V
GS
= -20 v, v
DS
= 0 v -100 nA
在 特性
(便条 1)
V
gs(th)
门 门槛 电压
V
DS
= v
GS
, i
D
= 250
µ
一个
11.6 3 V
V
gs(th)
T
J
门 门槛 电压
温度 系数
I
D
= 250
µ
一个, 关联 至 25
°
C
-4.5
mv/
°
C
R
ds(在)
静态的 流-源
在-阻抗
V
GS
= 10 v, i
D
= 20 一个,
V
GS
= 10 v, i
D
= 20 一个, t
J
= 125
°
C
V
GS
= 4.5 v,i
D
= 17 一个
0.015
0.021
0.019
0.018
0.030
0.024
I
d(在)
在-状态 流 电流 V
GS
= 10 v, v
DS
= 10 v 40 一个
g
FS
向前 跨导 V
DS
= 5 v, i
D
= 20 一个 30 S
动态 特性
C
iss
输入 电容 1160 pF
C
oss
输出 电容 250 pF
C
rss
反转 转移 电容
V
DS
= 15 v, v
GS
= 0 v,
f = 1.0 mhz
100 pF
切换 特性
(便条 1)
t
d(在)
转变-在 延迟 时间 9 17 ns
t
r
转变-在 上升 时间 11 20 ns
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 23 37 ns
t
f
转变-止 下降 时间
V
DD
= 15 v, i
D
= 1 一个,
V
GS
= 10 v, r
GEN
= 6
816ns
Q
g
总的 门 承担 12 17 nC
Q
gs
门-源 承担 3.2 nC
Q
gd
门-流 承担
V
DS
= 15 v,
I
D
= 20 一个, v
GS
= 5 v
3.7 nC
流-源 二极管 特性 和 最大 比率
I
S
最大 持续的 流-源 二极管 向前 电流
(便条 1)
40 一个
V
SD
流-源 二极管 向前
电压
V
GS
= 0 v, i
S
= 20 一个
(便条 1)
0.95 1.2 V
便条:
1.
脉冲波 测试: 脉冲波 宽度
300
µ
s, 职责 循环
2.0%
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