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资料编号:323503
 
资料名称:FDP6030BL
 
文件大小: 401.43K
   
说明
 
介绍:
N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
 
 


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fdp6030bl/fdb6030bl
fdp6030bl/fdb6030bl rev.c
典型 特性
(持续)
图示 7. 门-承担 特性. 图示 8. 电容 特性.
图示 9. 最大 safe 运行 范围. 图示 10. 单独的 脉冲波 最大
电源 消耗.
图示 11. 瞬时 热的 回馈 曲线.
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
0 5 10 15 20 25 30
V
DS
, 流 至 源 电压 (v)
电容 (pf)
C
ISS
C
OSS
C
RSS
f = 1 mhz
V
GS
= 0 v
1
10
100
1000
0.1 1 10 100
V
DS
, 流-源 电压 (v)
I
D
, 流 电流 (一个)
R
ds(在)
限制
V
GS
= 10v
单独的 脉冲波
R
θ
JC
= 2.5
o
c/w
T
C
= 25
o
C
直流
100ms
10ms
1ms
100
µ
s
10
µ
s
0.01 0.1 1 10 100 1000
0.01
0.02
0.03
0.05
0.1
0.2
0.3
0.5
1
t ,时间 (ms)
瞬时 热的 阻抗
单独的 脉冲波
d = 0.5
0.1
0.05
0.02
0.2
职责 循环, d = t /t
1 2
r (t) = r(t) * r
r = 2.5
°
c/w
θ
JC
θ
JC
θ
JC
t - t = p * r (t)
θ
JC
C
J
p(pk)
t
1
t
2
r(t), n
O
R
M
一个
LIZE
D
E
FFE
C
T
IV
E
1
0.01
0
2
4
6
8
10
0 5 10 15 20 25
Q
g
, 门 承担 (nc)
V
GS
, 门-源 电压 (v)
I
D
= 20a V
DS
= 5v
10V
15V
0.01 0.1 1 10 100 1,000
0
500
1000
1500
2000
2500
单独的 脉冲波 时间 (msec)
电源 (w)
单独的 脉冲波
r =2.5
°
c/w
t = 25
°
C
θ
JC
C
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