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fds6699s rev. d
fds6699s 30v n-频道 powertrench
®
SyncFET™
电的 特性
T
一个
= 25°c 除非 否则 指出
注释:
1. R
θ
JA
是 这 总 的 这 接合面-至-情况 和 情况-至-包围的 热的 阻抗 在哪里 这 情况 热的 涉及 是 defined 作 这 焊盘 挂载 表面 的 这 流 管脚.
R
θ
JC
是 有保证的 用 设计 当 r
θ
CA
是 决定 用 这 用户's 板 设计.
规模 1 : 1 在 letter 大小 paper
2. 脉冲波 测试: 脉冲波 宽度 < 300
µ
s,职责 循环 < 2.0%
3. 看 “syncfet 肖特基 身体 二极管 characteristics” 在下.
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
止 特性
BV
DSS
drain–source 损坏 电压 V
GS
= 0 v, i
D
= 1 毫安 30 V
∆
BV
DSS
∆
T
J
损坏 电压 温度
Coefficient
I
D
= 1 毫安, 关联 至 25
°
C28mv/
°
C
I
DSS
零 门 电压 流 电流 V
DS
= 24 v, v
GS
= 0 v 500
µ
一个
I
GSS
gate–body 泄漏 V
GS
= ±20 v, v
DS
= 0 v ±100 nA
在 特性
(便条 2)
V
gs(th)
门 门槛 电压 V
DS
= v
GS
, i
D
= 1 毫安 1 1.4 3 V
∆
V
gs(th)
∆
T
J
门 门槛 电压 温度
Coefficient
I
D
= 1 毫安, 关联 至 25
°
C –3.2 mv/
°
C
R
ds(在)
静态的 drain–source
On–Resistance
V
GS
= 10 v, i
D
= 21 一个
V
GS
= 4.5 v, i
D
= 19 一个
V
GS
=10 v, i
D
=21 一个, t
J
=125
°
C
3.0
3.6
4.6
3.6
4.5
5.6
m
Ω
g
FS
Forward 跨导 V
DS
= 10 v, i
D
= 21 一个 100 S
动态 特性
C
iss
输入 电容 V
DS
= 15 v, v
GS
= 0 v,
f = 1.0 mhz
3610 pF
C
oss
输出 电容 1050 pF
C
rss
反转 转移 电容 340 pF
R
G
门 阻抗 V
GS
= 15 mv, f = 1.0 mhz 0.4 1.8 3.1
Ω
切换 特性
(便条 2)
t
d(在)
Tur n–on 延迟 时间 V
DD
= 15 v, i
D
= 1 一个,
V
GS
= 10 v, r
GEN
= 6
Ω
11 20 ns
t
r
Tur n–on 上升 时间 12 22 ns
t
d(止)
Tur n–off 延迟 时间 73 117 ns
t
f
Tur n–off 下降 时间 38 61 ns
Q
g(tot)
总的 门 承担 在 vgs = 10v V
DD
= 15 v, i
D
= 21 一个, 65 91 nC
Q
g
总的 门 承担 在 vgs = 5v 35 49 nC
Q
gs
gate–source 承担 9nC
Q
gd
gate–drain 承担 11 nC
drain–source 二极管 特性 和 最大 比率
V
SD
drain–source 二极管 向前 电压 V
GS
= 0 v, i
S
= 3.5 一个 (便条 2) 0.36 0.7 V
t
rr
二极管 反转 恢复 时间 I
F
= 21 一个,
d
如果
/d
t
= 300 一个/µs (便条 3)
32 ns
I
RM
二极管 反转 恢复 电流 2.2 一个
Q
rr
二极管 反转 恢复 承担 35 nC
一个) 50°/w 当 挂载
在 一个 1 在
2
垫子 的 2 oz
铜
b) 105°/w 当 挂载
在 一个 .04 在
2
垫子 的 2 oz
铜
c) 125°/w 当 挂载
在 一个 最小 垫子.
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