5
www.fairchildsemi.com
fds6699s rev. d
fds6699s 30v n-频道 powertrench
®
SyncFET™
典型 特性
(持续)
syncfet 肖特基 身体 二极管 特性
Fairchild’s syncfet 处理 embeds 一个 肖特基 二极管 在 paral-
lel 和 powertrench 场效应晶体管. 这个 二极管 exhibits 类似的 char-
acteristics 至 一个 分离的 外部 肖特基 二极管 在 并行的 和 一个
场效应晶体管. 图示 12 显示 这 反转 恢复 典型的
的 这 fds6699s.
图示 12. fds6699s syncfet 身体
二极管 反转 恢复 典型的.
肖特基 屏障 二极管 展览 significant 泄漏 在 高 tem-
perature 和 高 反转 电压. 这个 将 增加 这 电源
在 这 设备.
图示 13. syncfet 身体 二极管 反转 泄漏
相比 流-源 电压 和 温度.
电流 : 0.8a/div
时间 : 12.5ns/div
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
051015 20 25 30
V
DS
, 反转 电压 (v)
I
DSS
, 反转 泄漏 电流 (一个)
T
一个
= 125
o
C
T
一个
= 25
o
C
T
一个
= 100
o
C