FDS8433A
fds8433a rev. b1
FDS8433A
单独的 p-频道 2.5v 指定 场效应晶体管
一般 描述
这个 p-频道 增强 模式 电源 地方 效应
晶体管 是 生产 使用 仙童’s 专卖的,
高 cell 密度, dmos 技术. 这个 非常 高
密度 processis 特别 tailored 至 降低
在-状态 阻抗 和 提供 更好的 切换
效能.
产品
•
加载 转变
•
直流/直流 转换器
•
电池 保护
october 1998
初步的
特性
•
-5 一个, -20 v. r
ds(在)
= 0.045
Ω
@ v
GS
= -4.5 v
R
ds(在)
= 0.070
Ω
@ v
GS
= -2.5 v
•
快 切换 速.
•
高 密度 cell 设计 为 极其 低 r
ds(在)
.
•
高 电源 和 电流 处理 能力.
1998 仙童 半导体 公司
绝对 最大 比率
T
一个
= 25°c 除非 否则 指出
标识 参数 FDS8433A 单位
V
DSS
流-源 电压 -20 V
V
GSS
门-源 电压
±
8V
I
D
流 电流 - 持续的
(便条 1a)
-5 一个
- 搏动 -50
P
D
电源 消耗 为 单独的 运作
(便条 1a)
2.5 W
(便条 1b)
1.2
(便条 1c)
1
T
J
, t
stg
运行 和 存储 接合面 温度 范围 -55 至 +150
°
C
热的 特性
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面-至-包围的
(便条 1a)
50
°
c/w
R
θ
JC
热的 阻抗, 接合面-至-情况
(便条 1)
25
°
c/w
包装 轮廓 和 订货 信息
设备 标记 设备 卷轴 大小 录音带 宽度 Quantity
FDS8433A FDS8433A 13’’ 12mm 2500 单位
5
6
8
3
1
7
4
2
S
D
S
S
所以-8
D
D
D
G
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