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资料编号:323632
 
资料名称:FDS8433A
 
文件大小: 196.01K
   
说明
 
介绍:
Single P-Channel 2.5V Specified MOSFET
 
 


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FDS8433A
fds8433a rev. b1
典型 特性
图示 1. 在-区域 特性. 图示 2. 在-阻抗 变化
和 流 电流 和 门 电压.
图示 3. 在-阻抗 变化
和 温度.
图示 4. 在-阻抗 变化
和 门-至-源 电压.
图示 5. 转移 特性.
图示 6. 身体 二极管 向前 电压
变化 和 源 电流
和 温度.
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
t , 接合面 温度 (°c)
流-源 在-阻抗
J
r , normalized
ds(在)
v = -4.5v
GS
i = -5a
D
012345
0
10
20
30
40
50
-v , 流-源 电压 (v)
- i , 流-源 电流(一个)
DS
D
-2.5V
-3.5V
-3.0V
v = -4.5v
GS
-1.5V
-2.0V
0 1020304050
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
- I , drain 电流 (一个)
流-源 在-resisTANCE
V = -2 .0 V
GS
D
R , n 或者毫安 LIZ ED
ds( o n)
-4.0V
-4.5V
-2.5V
-3.5V
-3.0V
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2
0.001
0.01
0.1
1
3
10
-v , 身体 二极管 forward 电压 (v)
- I , 反转 流 电流 (一个)
25° C
-55° C
v = 0v
GS
SD
S
t =1 25° C
J
0.4 0.8 1.2 1.6 2
0
2
4
6
8
10
-v , GATE SOURCE VOLTA GE (v)
- i , 流 电流 (一个)
v = -5v
DS
GS
D
1 25° C
25° C
T = -55°c
J
12345
0
0.03
0.06
0.09
0.12
0.15
- V , GA TE S OU RC E VOLT AG E (v )
GS
R , 在-R E SIS TA NC E ( OH m)
ds(在)
i = -2.5a
D
t = 125°c
J
25° C
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