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资料编号:323636
 
资料名称:FDS6675
 
文件大小: 247.45K
   
说明
 
介绍:
Single P-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
电的 特性
(T
一个
= 25
O
c 除非 否则 指出 )
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
止 特性
BV
DSS
流-源 损坏 电压 V
GS
= 0 v, i
D
=-250 µa -30 V
BV
DSS
/
T
J
损坏 电压 温度 系数 I
D
=-250 µa
o
C -22 mv/
o
C
I
DSS
零 门 电压 流 电流 V
DS
= -24v,V
GS
= 0 v -1 µ一个
T
J
= 55°C -10 µ一个
I
GSSF
门 - 身体 泄漏, 向前 V
GS
= 20 v,V
DS
= 0 v 100 nA
I
GSSR
门 - 身体 泄漏, 反转 V
GS
= -20 v,V
DS
= 0 v -100 nA
在 特性
(便条 2)
V
GS(th)
门 门槛 电压 V
DS
= v
GS
, i
D
= -250µ一个 -1 -1.7 -3 V
V
gs(th)
/
T
J
门 门槛 电压温度 系数 I
D
=250 µa
o
C 4.3 mv/
o
C
R
ds(在)
静态的 流-源 在-阻抗 V
GS
=-10 v,I
D
= -11一个 0.011 0.014
T
J
=125°C 0.016 0.023
V
GS
= -4.5v,I
D
=-9一个 0.015 0.02
I
d(在)
在-状态 流 电流 V
GS
= -10v, v
DS
= -5 v -50 一个
g
FS
向前 跨导 V
DS
= -10v, i
D
= -11一个 32 S
动态特性
C
iss
输入 电容 V
DS
= -15v, v
GS
= 0 v,
f = 1.0 mhz
3000 pF
C
oss
输出 电容 870 pF
C
rss
反转 转移 电容 360 pF
切换 chARACTERISTICS
(便条 2)
t
d(在)
转变 - 在 延迟 时间 V
DS
= -15v,I
D
= -1一个 12 22 ns
t
r
转变 - 在 上升 时间
V
GEN
= -10v, r
GEN
= 6
16 27 ns
t
d(止)
转变 - 止 延迟 时间 50 80 ns
t
f
转变 - 止 下降 时间 100 140 ns
Q
g
总的 门 承担 V
DS
= -15v, i
D
= -11一个, 30 42 nC
Q
gs
门-源 承担 V
GS
= -5 v 9 nC
Q
gd
门-流 承担 11 nC
流-源 二极管 特性 和 最大 比率
I
S
最大 持续的 流-源 二极管 向前 电流 -2.1 一个
V
SD
流-源 二极管 向前 电压 V
GS
= 0 v, i
S
= -2.1一个
(便条 2) -0.72 -1.2 V
注释:
1. R
θ
JA
是 这 总 的 这 接合面-至-情况 和 情况-至-包围的 热的 阻抗 在哪里 这 情况 热的 涉及 是 定义 作 这焊盘 挂载 表面 的 这 流 管脚.R
θ
JC
有保证的用 设计 当 r
θ
CA
是 决定 用 这 用户's 板 设计.
规模 1 : 1 在 letter 大小 paper
2. 脉冲波 测试: 脉冲波 宽度<300µs, 职责 循环<2.0%.
FDS6675rev.c1
c. 125
O
c/w 在一个 0.006
2
垫子
的 2oz铜.
b. 105
O
c/w 在一个 0.04
2
垫子 的2oz铜.
一个. 50
O
c/w 在一个 1
2
垫子
的 2oz铜.
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