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FDS6675rev.c1
典型 电的 特性
图示 1. 在-区域 特性
.
图示 2. 在-阻抗 变化 和
dain 电流 和 门 电压
.
图示 3. 在-阻抗 变化和
温度
.
图示  5. 转移 特性. 图示 6. 身体 二极管 向前电压
Variation和 源 电流
和 温度.
图示 4.在-阻抗
变化和
门-至-源 电压.
0 0.6 1.2 1.8 2.4 3
0
10
20
30
40
50
- v     , dRain-souRCEVOLTAGE(v)
- i   , 流-源 电流 (一个)
DS
D
-6.0v
-3.5v
-3.0v
V=-10v
GS
-4.5v
0 10 20 30 40 50
0.5
1
1.5
2
2.5
- i    , dRain 电流 (一个)
流-源 在-阻抗
D
V=-3.5v
GS
r            , normalized
ds(在)
-10v
-7.0v
-4.0v
-5.5v
-4.5 v
0 2 4 6 8 10
0
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
- v    ,门 至 源 voltage (v)
GS
r           , 在-阻抗 (ohm)
ds(在)
25°C
I=-5.5a
D
T=125°C
J
1 2 3 4 5
0
10
20
30
40
50
- v     , gate 至 源VOLTAGE(v)
- i   , 流 电流 (一个)
V=-5.0v
DS
GS
D
T=-55°C
J
125°C
25°C
0 0.4 0.8 1.2
0.001
0.01
0.1
1
10
50
- v     , 身体 diode 为WARD电压 (v)
- i   , 反转 流 电流 (一个)
25°C
-55°C
V=0V
GS
SD
S
T=125°C
J
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
t  , 接合面 tEMPERATURE(°c)
流-源 在-阻抗
J
r            , normalized
ds(在)
V=-10v
GS
I=-11a
D

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FDS6675rev.c1 典型电的特性图示 1. 在-区域特性 . 图示 2. 在-阻抗变化和 dain 电流和门电压 . 图示 3. 在-阻抗变化和温度 . 图示 5. 转移特性. 图示 6. 身体二极管向前电压 Variation和源电流和温度. 图示 4.在-阻抗变化和门-至-源电压. 0 0.6 1.2 1.8 2.4 3 0 10 20 30 40 50 - v , dRain-souRCEVOLTAGE(v) - i , 流-源电流 (一个) DS D -6.0v -3.5v -3.0v V=-10v GS -4.5v 0 10 20 30 40 50 0.5 1 1.5 2 2.5 - i , dRain 电流 (一个) 流-源在-阻抗 D V=-3.5v GS r , normalized ds(在) -10v -7.0v -4.0v -5.5v -4.5 v 0 2 4 6 8 10 0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 - v ,门至源 voltage (v) GS r , 在-阻抗 (ohm) ds(在) 25°C I=-5.5a D T=125°C J 1 2 3 4 5 0 10 20 30 40 50 - v , gate 至源VOLTAGE(v) - i , 流电流 (一个) V=-5.0v DS GS D T=-55°C J 125°C 25°C 0 0.4 0.8 1.2 0.001 0.01 0.1 1 10 50 - v , 身体 diode 为WARD电压 (v) - i , 反转流电流 (一个) 25°C -55°C V=0V GS SD S T=125°C J -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 t , 接合面 tEMPERATURE(°c) 流-源在-阻抗 J r , normalized ds(在) V=-10v GS I=-11a D

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