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资料编号:323660
 
资料名称:FDS4465
 
文件大小: 137.55K
   
说明
 
介绍:
P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
FDS4465 revC
1
(W)
典型 特性
0
10
20
30
40
50
00.511.5
-v
DS
, 流 至 源 电压 (v)
-i
D
, 流 电流 (一个)
V
GS
= -4.5v
-2.5v
-2.0v
-1.8v
-1.5v
0.6
1
1.4
1.8
2.2
2.6
3
0 1020304050
-i
D
, 流 电流 (一个)
R
ds(在)
, normalized
流-源 在-阻抗
V
GS
= -1.5v
-4.5v
-2.0v
-2.5v
-1.8v
图示 1. 在-区域 特性. 图示 2. 在-阻抗 变化 和
流 电流 和 门 电压.
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175
T
J
, 接合面 温度 (
o
c)
R
ds(在)
, normalized
流-源 在-阻抗
I
D
= -13.5a
V
GS
= -10v
0
0.005
0.01
0.015
0.02
0.025
012345
-v
GS
, 门 至 源 电压 (v)
R
ds(在)
, 在-阻抗 (ohm)
I
D
= -6.3a
T
一个
= 125
o
C
T
一个
= 25
o
C
图示 3. 在-阻抗 变化 和
温度.
图示 4. 在-阻抗 变化 和
门-至-源 电压.
0
10
20
30
40
50
00.511.52
-v
GS
, 门 至 源 电压 (v)
-i
D
, 流 电流 (一个)
T
一个
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
V
DS
= -5.0v
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
00.20.40.60.811.2
-v
SD
,
身体 二极管 向前 电压 (v)
-i
S
, 反转流 电流 (一个)
V
GS
= 0v
T
一个
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
图示 5. 转移 特性. 图示 6. 身体 二极管 向前 电压 变化
和 源 电流 和 温度.
FDS4465
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