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资料编号:323660
 
资料名称:FDS4465
 
文件大小: 137.55K
   
说明
 
介绍:
P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET
 
 


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march 2003
2003F一个irchildSemiconduct或者Corpor一个ti
FDS4465 revC1
(W)
FDS4465
p-频道 1.8v 指定 powertrench

场效应晶体管
这个 p-频道 1.8v 指定 场效应晶体管 是 一个 坚毅的
门 版本 的 仙童 半导体’s 先进的
powertrench 处理. 它 有 被 优化 为 电源
管理 产品 和 一个 宽 范围 的 门
驱动 电压 (1.8v – 8v).
产品
电源 管理
加载 转变
电池 保护
特性
–13.5 一个, –20 v. R
ds(在)
= 8.5 m
@ v
GS
= –4.5 v
R
ds(在)
= 10.5 m
@ v
GS
= –2.5 v
R
ds(在)
= 14 m
@ v
GS
= –1.8 v
快 切换 速
高 效能 trench 技术 为 极其
低 r
ds(在)
高 电流 和 电源 处理 能力
S
D
S
S
所以-8
D
D
D
G
D
D
D
D
S
S
S
G
管脚 1
所以-8
4
3
2
1
5
6
7
8
绝对 最大 比率
T
一个
=25
o
c 除非 否则 指出
标识 参数 比率 单位
V
DSS
流-源 电压 –20 V
V
GSS
门-源 电压
±
8
V
I
D
流 电流 – 持续的
(便条 1a)
–13.5 一个
– 搏动 –50
电源 消耗 为 单独的 运作
(便条 1a)
2.5
(便条 1b)
1.5
P
D
(便条 1c)
1.2
W
T
J
, t
STG
运行 和 存储 接合面 温度 范围 –55 至 +175
°
C
热的 特性
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面-至-包围的
(便条 1a)
50
°
c/w
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面-至-包围的
(便条 1c)
125
°
c/w
R
θ
JC
热的 阻抗, 接合面-至-情况
(便条 1)
25
°
c/w
包装 标记 和 订货 信息
设备 标记 设备 卷轴 大小 录音带 宽度 Quantity
FDS4465 FDS4465 13’’ 12mm 2500 单位
FDS4465
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