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资料编号:323698
 
资料名称:FDS6894A
 
文件大小: 82K
   
说明
 
介绍:
Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET
 
 


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fds6894a rev c (w)
典型 特性
0
10
20
30
40
50
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5
V
DS
, 流 至 源 电压 (v)
I
D
, 流 电流 (一个)
V
GS
= 4.5v
1.8v
2.5v
2.0v
3.0v
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
0 10 20 30 40 50
I
D
, dirain 电流 (一个)
R
ds(在)
, normalized
流-源 在-阻抗
V
GS
= 1.8v
4.5v
3.0v
2.5v
3.5v
2.0v
图示 1. 在-区域 特性. 图示 2. 在-阻抗 变化 和
流 电流 和 门 电压.
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T
J
, 接合面 温度 (
o
c)
R
ds(在)
, normalized
流-源 在-阻抗
I
D
= 8a
V
GS
= 4.5v
0.01
0.015
0.02
0.025
0.03
0.035
0.04
0.045
1 2 3 4 5
V
GS
, 门 至 源 电压 (v)
R
ds(在)
, 在-阻抗 (ohm)
I
D
= 4a
T
一个
= 125
o
C
T
一个
= 25
o
C
图示 3. 在-阻抗 变化 和
温度.
图示 4. 在-阻抗 变化 和
门-至-源 电压.
0
5
10
15
20
25
30
0.5 0.8 1.1 1.4 1.7 2
V
GS
, 门 至 源 电压 (v)
I
D
, 流 电流 (一个)
T
一个
= -55
o
C 25
o
C
125
o
C
V
DS
= 5v
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
V
SD
,
身体 二极管 向前 电压 (v)
I
S
, 反转 流 电流 (一个)
V
GS
= 0v
T
一个
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
图示 5. 转移 特性. 图示 6. 身体 二极管 向前 电压 变化
和 源 电流 和 温度.
FDS6894A
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