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资料编号:323698
 
资料名称:FDS6894A
 
文件大小: 82K
   
说明
 
介绍:
Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET
 
 


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fds6894a rev c (w)
典型 特性
0
1
2
3
4
5
0 5 10 15 20
Q
g
, 门 承担 (nc)
V
GS
, 门-源 电压 (v)
I
D
= 8a
V
DS
= 5v
10V
15V
0
500
1000
1500
2000
2500
0 5 10 15 20
V
DS
, 流 至 源 电压 (v)
电容 (pf)
C
ISS
C
OSS
C
RSS
f = 1 mhz
V
GS
= 0 v
图示 7. 门 承担 特性. 图示 8. 电容 特性.
0.01
0.1
1
10
100
0.01 0.1 1 10 100
V
DS
, 流-源 电压 (v)
I
D
, 流 电流 (一个)
直流
10s
1s
100ms
100
µ
s
R
ds(在)
限制
V
GS
= 4.5v
单独的 脉冲波
R
θ
JA
= 135
o
c/w
T
一个
= 25
o
C
10ms
1ms
0
10
20
30
40
50
0.01 0.1 1 10 100
t
1
, 时间 (秒)
p(pk), 顶峰 瞬时 电源 (w)
单独的 脉冲波
R
θ
JA
= 135°c/w
T
一个
= 25°c
图示 9. 最大 safe 运行 范围. 图示 10. 单独的 脉冲波 最大
电源 消耗.
0.001
0.01
0.1
1
0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000
t
1
, 时间 (秒)
r(t), normalized 有效的 瞬时
热的 阻抗
R
θ
JA
(t) = r(t) * r
θ
JA
R
θ
JA
= 135
o
c/w
T
J
- t
一个
= p * r
θ
JA
(t)
职责 循环, d = t
1
/ t
2
p(pk)
t
1
t
2
单独的 脉冲波
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
d = 0.5
图示 11. 瞬时 热的 回馈 曲线.
热的 描绘 执行 使用 这 情况 描述 在 便条 1c.
瞬时 热的 回馈 将 改变 取决于 在 这 电路 板 设计.
FDS6894A
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