fds6681z rev b (w)
电的 特性
T
一个
= 25°c 除非 否则 指出
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
止 特性
BV
DSS
drain–source 损坏 电压
V
GS
= 0 v, I
D
= –250
µ
一个
–30 V
∆
BV
DSS
∆
T
J
损坏 电压 温度
系数
I
D
= –250
µ
一个, 关联 至 25
°
C
–26
mv/
°
C
I
DSS
零 门 电压 流 电流 V
DS
= –24 v, V
GS
= 0 v –1
µ
一个
I
GSS
gate–body 泄漏 V
GS
= ±25 v, V
DS
= 0 v ±10
µ
一个
在 特性
(便条 2)
V
gs(th)
门 门槛 电压
V
DS
= v
GS
, i
D
= –250
µ
一个
–1 –1.8 –3 V
∆
V
gs(th)
∆
T
J
门 门槛 电压
温度 系数
I
D
= –250
µ
一个, 关联 至 25
°
C
6
mv/
°
C
R
ds(在)
静态的 drain–source
On–Resistance
V
GS
= –10 v, I
D
= –20 一个
V
GS
= –4.5 v, i
D
= –17 一个
V
GS
= –10 v, i
D
= –20 一个,t
J
=125
°
C
3.8
5.2
5.0
4.6
6.5
6.3
m
Ω
g
FS
向前 跨导 v
DS
= –5 v, i
D
= –20 一个 79 S
动态 特性
C
iss
输入 电容 7540 pf
C
oss
输出 电容 1400 pf
C
rss
反转 转移 电容
V
DS
= –15 v, V
GS
= 0 v,
f = 1.0 mhz
1120 pF
切换 特性
(便条 2)
t
d(在)
turn–on 延迟 时间 20 35 ns
t
r
turn–on 上升 时间 9 18 ns
t
d(止)
turn–off 延迟 时间 660 1060 ns
t
f
turn–off 下降 时间
V
DD
= –15 v, I
D
= –1 一个,
V
GS
= –10 v, r
GEN
= 6
Ω
380 610 ns
Q
g(tot)
总的 门 承担 在 v
GS
= –10v 185 260 nC
Q
g(tot)
总的 门 承担 在 v
GS
= –5v 105 150 nC
Q
gs
gate–source 承担 26 nc
Q
gd
gate–drain 承担
V
DS
= –15 v, I
D
= –20 一个
47 nC
FDS6681Z
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