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资料编号:323779
 
资料名称:FDS6681Z
 
文件大小: 108.49K
   
说明
 
介绍:
30 Volt P-Channel PowerTrench MOSFET
 
 


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fds6681z rev b (w)
典型 特性
0
2
4
6
8
10
0 40 80 120 160 200
Q
g
, 门 承担 (nc)
-v
GS
, 门-源 电压 (v)
I
D
= -20a
V
DS
= -10v
-20v
-15v
0
2000
4000
6000
8000
10000
0 5 10 15 20 25 30
-v
DS
, 流 至 源 电压 (v)
电容 (pf)
C
iss
C
rss
C
oss
f = 1mhz
V
GS
= 0 v
图示 7. 门 承担 特性. 图示 8. 电容 特性.
0.01
0.1
1
10
100
1000
0.01 0.1 1 10 100
-v
DS
, 流-源 电压 (v)
-i
D
, 流 电流 (一个)
直流
1s
100ms
R
ds(在)
限制
V
GS
= -10v
单独的 脉冲波
R
θ
JA
= 125
o
c/w
T
一个
= 25
o
C
10ms
10s
100us
1ms
0
10
20
30
40
50
0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000
t
1
, 时间 (秒)
p(pk), 顶峰 瞬时 电源 (w)
单独的 脉冲波
R
θ
JA
= 125°c/w
T
一个
= 25°c
图示 9. 最大 safe 运行 area. 图示 10. 单独的 脉冲波 最大
电源 消耗.
0.001
0.01
0.1
1
0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000
t
1
, 时间 (秒)
r(t), normalized 有效的 瞬时
热的 阻抗
R
θ
JA
(t) = r(t) * r
JA
R
θ
JA
= 125 °c/w
T
J
- t
一个
= p * r
θ
JA
(t)
职责 循环, d = t
1
/ t
2
P(pk
t
1
t
2
单独的 脉冲波
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
d = 0.5
图示 11. 瞬时 热的 回馈 曲线.
热的 characterization 执行 使用 这情况 描述 在 便条 1c.
瞬时 热的 回馈 将 改变 取决于 在 这 电路 板 设计.
FDS6681Z
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