©2004 仙童 半导体 公司 fdt461n rev. a1
FDT461N
电的 特性
T
一个
= 25°c 除非 否则 指出
止 特性
在 特性
动态 特性
切换 特性
(v
GS
= 10v)
流-源 二极管 特性
注释:
1:
开始 t
J
= 25°c, l = 67mh, i
作
= 0.43a.
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
B
VDSS
流 至 源 损坏 电压 I
D
= 250
µ
一个, v
GS
= 0v 100 - - V
I
DSS
零 门 电压 流 电流
V
DS
= 80v - - 1
µ
一个
V
GS
= 0v T
C
= 125
o
C - - 250
I
GSS
门 至 源 泄漏 电流 V
GS
=
±
20V - -
±
100 nA
V
gs(th)
门 至 源 门槛 电压 V
GS
= v
DS
, i
D
= 250
µ
a0.8-2v
r
ds(在)
流 至 源 在 阻抗
I
D
= 0.54a, v
GS
= 10v - 1.40 2.0
Ω
I
D
= 0.4a, v
GS
= 4.5v - 1.45 2.5
I
D
= 0.54a, v
GS
= 10v,
T
J
= 150
o
C
-2.804.0
C
ISS
输入 电容
V
DS
= 25v, v
GS
= 0v,
f = 1mhz
-74-pf
C
OSS
输出 电容 - 11 - pF
C
RSS
反转 转移 电容 - 2.5 - pF
Q
g(tot)
总的 门 承担 在 10v V
GS
= 0v 至 10v
V
DD
= 50v
I
D
= 0.54a
I
g
= 1.0ma
2.36 4.0 nC
Q
g(4.5)
总的 门 承担 在 4.5v V
GS
= 0v 至 4.5v - 1.27 2.0 nC
Q
g(th)
门槛 门 承担 V
GS
= 0v 至 1v 0.1 0.15 nC
Q
gs
门 至 源 门 承担 - 0.37 - nC
Q
gs2
门 承担 门槛 至 plateau - 0.27 - nC
Q
gd
门 至 流 “miller” 承担 - 0.25 - nC
t
在
转变-在 时间
V
DD
= 50v, i
D
= 0.54a
V
GS
= 10v, r
GS
= 120
Ω
--6.5ns
t
d(在)
转变-在 延迟 时间 - 3 - ns
t
r
上升 时间 - 1.3 - ns
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 - 63 - ns
t
f
下降 时间 - 12 - ns
t
止
转变-止 时间 - - 113 ns
V
SD
源 至 流 二极管 电压
I
SD
= 0.54a - - 1.25 V
I
SD
= 0.3a - - 1.0 V
t
rr
反转 恢复 时间 I
SD
= 0.54a, di
SD
/dt = 100a/
µ
s- - 22 ns
Q
RR
反转 recovered 承担 I
SD
= 0.54a, di
SD
/dt = 100a/
µ
s- - 18 nC
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