FDT461N_集成电路资料查询网

©2004 仙童 半导体 公司 fdt461n rev. a1
FDT461N
图示 11.  normalized 流 至 源
损坏 电压 vs 接合面 温度
图示 12.  电容 vs 流 至 源
电压
图示 13.  门 承担 波形 为 常量 门 电流
典型 特性
T
一个
= 25°c 除非 否则 指出
0.9
1.0
1.1
-80 -40 0 40 80 120 160
1.2
T
J
, 接合面 温度 (
o
c)
normalized 流 至 源
I
D
= 250
µ
一个
损坏 电压
1
10
100
0.1 1 10 100
200
c, 电容 (pf)
V
DS
, 流 至 源 电压 (v)
V
GS
= 0v, f = 1mhz
C
ISS
=
C
GS
+ c
GD
C
OSS
≅
C
DS
+ c
GD
C
RSS
=
C
GD
0
2
4
6
8
10
0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5
V
GS
, 门 至 源 电压 (v)
Q
g
, 门 承担 (nc)
V
DD
= 50v
I
D
= 0.54a
测试 电路 和 波形
图示 14.  unclamped 活力 测试 电路 图示 15.  unclamped 活力 波形
t
P
V
GS
0.01
Ω
L
I
作
+
-
V
DS
V
DD
R
G
DUT
VARYt
P
至 获得
必需的 顶峰 i
作
0V
V
DD
V
DS
BV
DSS
t
P
I
作
t
AV
0

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©2004 仙童半导体公司 fdt461n rev. a1 FDT461N 图示 11. normalized 流至源损坏电压 vs 接合面温度图示 12. 电容 vs 流至源电压图示 13. 门承担波形为常量门电流典型特性 T 一个 = 25°c 除非否则指出 0.9 1.0 1.1 -80 -40 0 40 80 120 160 1.2 T J , 接合面温度 ( o c) normalized 流至源 I D = 250 µ 一个损坏电压 1 10 100 0.1 1 10 100 200 c, 电容 (pf) V DS , 流至源电压 (v) V GS = 0v, f = 1mhz C ISS = C GS + c GD C OSS ≅ C DS + c GD C RSS = C GD 0 2 4 6 8 10 0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 V GS , 门至源电压 (v) Q g , 门承担 (nc) V DD = 50v I D = 0.54a 测试电路和波形图示 14. unclamped 活力测试电路图示 15. unclamped 活力波形 t P V GS 0.01 Ω L I 作 + - V DS V DD R G DUT VARYt P 至获得必需的顶峰 i 作 0V V DD V DS BV DSS t P I 作 t AV 0

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