绝对 最大 比率
参数 单位
I
D
@ v
GS
= 10v, t
C
= 25°c 持续的 流 电流 2.25
I
D
@ v
GS
= 10v, t
C
= 100°c 持续的 流 电流 1.50
I
DM
搏动 流 电流
➀
9.0
P
D
@ t
C
= 25°c 最大值 电源 消耗 15 W
直线的 减额 因素 0.12
w/°c
V
GS
门-至-源 电压 ±20 V
E
作
单独的 脉冲波 avalanche 活力
➁
48 mJ
I
AR
avalanche 电流
➀
—A
E
AR
repetitive avalanche 活力
➀
—mJ
dv/dt 顶峰 二极管 恢复 dv/dt
➂
5.0
v/ns
T
J
运行 接合面 -55 至 150
T
STG
存储 温度 范围
含铅的 温度 300 (0.063 在. (1.6mm) 从 情况 为 10s)
重量 0.98(典型) g
pd - 90424c
这 hexfet
技术 是 这 关键 至 国际的
整流器’s 先进的 线条 的 电源 场效应晶体管 晶体管.
这 效率高的 geometry 和 唯一的 处理 的 这个 最新的
“state 的 这 art” 设计 achieves: 非常 低 在-状态 resis-
tance 联合的 和 高 跨导.
这 hexfet 晶体管 也 特性 所有 的 这 好
established 有利因素 的 mosfets 此类 作 volt-
age 控制, 非常 快 切换, 使容易 的 parelleling
和 温度 稳固 的 这 电的 参数.
它们 是 好 suited 为 产品 此类 作 转变-
ing 电源 供应, 发动机 控制, 反相器, chop-
pers, 音频的 放大器 和 高 活力 脉冲波 电路.
o
C
一个
01/22/01
www.irf.com 1
至-39
产品 summary
部分 号码 bvdss r
ds(在)
I
D
irff210 200v 1.5
Ω
2.25a
特性:
repetitive avalanche 比率
动态 dv/dt 比率
hermetically sealed
简单的 驱动 (所需的)东西
使容易 的 paralleling
为 footnotes 谈及 至 这 last 页
IRFF210
repetitive avalanche 和 dv/dt 评估
JANTX2N6784
HEXFET
晶体管 JANTXV2N6784
thru-孔 (至-205af) ref:mil-prf-19500/556
200v, n-频道
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