IRFF210
2 www.irf.com
热的 阻抗
参数 最小值 典型值 最大值 单位 Test 情况
R
thJC
接合面-至-情况 — — 8.3
R
thJA
接合面-至-包围的 — — 175
典型 插座 挂载.
°c/w
源-流 二极管 比率 和 特性
参数 最小值 典型值 最大值 单位 Test 情况
I
S
持续的 源 电流 (身体 二极管) — — 2.25
I
SM
脉冲波 源 电流 (身体 二极管)
➀
— — 9.0
V
SD
二极管向前电压 — — 1.5 V T
j
= 25°c, i
S
=2.25a, v
GS
= 0v
➃
t
rr
反转 恢复 时间 — — 350 nS T
j
= 25°c, i
F
= 2.25a, di/dt
≤
100a/
µ
s
Q
RR
反转 恢复 承担 — — 3.0 µC V
DD
≤
50V
➃
t
在
向前 转变-在 时间
intrinsic 转变-在 时间 是 negligible. 转变-在 速 是 substantially 控制 用 l
S
+ l
D
.
一个
便条: 相应的 额外的刺激 和 saber 模型 是 有 在 这 g&放大;s 网站.
为 footnotes 谈及 至 这 last 页
电的 特性
@ tj = 25°c (除非 否则 指定)
参数 最小值 典型值 最大值 单位 Test 情况
BV
DSS
流-至-源 损坏 电压 200 — — V V
GS
= 0v, i
D
= 1.0ma
∆
BV
DSS
/
∆
T
J
温度 系数 的 损坏 — 0.25 — v/°c 涉及 至 25°c, i
D
= 1.0ma
电压
R
ds(在)
静态的流-至-源在-状态 — — 1.5 v
GS
= 10v, i
D
= 1.50a
➃
阻抗 — —1.725
V
GS
=10v, i
D
= 2.25a
➃
V
gs(th)
门门槛电压 2.0 — 4.0 v v
DS
= v
GS
, i
D
= 250
µ
一个
g
fs
向前 跨导 0.9 — — s (
) v
DS
> 15v, i
DS
= 1.50a
➃
I
DSS
零 门 电压 流 电流 — — 25 V
DS
= 160v, v
GS
=0V
— — 250 µA V
DS
= 160v
V
GS
= 0v, t
J
= 125°c
I
GSS
门-至-源 泄漏 向前 — — 100 V
GS
= 20v
I
GSS
门-至-源 泄漏 反转 — — -100 nA V
GS
= -20v
Q
g
总的 门 承担 4.3 — 6.2 V
GS
=10v, id = 2.25a
Q
gs
门-至-源 承担 0.7 — 1.2 nC V
DS
=100V
Q
gd
门-至-流 (‘miller’) 承担 0.5 — 5.0
t
d
(在)
转变-在 延迟 时间 — — 15 V
DD
= 100v, i
D
= 2.25a,
t
r
上升 时间 — — 20 R
G
= 7.5
Ω
t
d
(止)
转变-止 延迟 时间 — — 30
t
f
下降 时间 — — 20
L
s +
L
D
总的 电感 — 7.0 —
C
iss
输入 电容 — 140 V
GS
= 0v, v
DS
= 25v
C
oss
输出 电容 — 55 — pF f =1.0mhz
C
rss
反转 转移 电容 — 8.6 —
Ω
nH
ns
Ω
量过的 从 流 含铅的 (6mm/0.25in. 从
包装) 至 源 含铅的 (6mm/0.25in. 从
包装)