fgl40n150d rev. a1
FGL40N150D
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电的 特性 的 这 igbt
T
C
= 25
°
c 除非 否则 指出
电的 特性 的 二极管
T
C
= 25
°
c 除非 否则 指出
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
止 特性
BV
CES
集电级-发射级 损坏 电压 V
GE
= 0v, i
C
= 3ma 1500 -- -- V
I
CES
集电级 截-止 电流 V
CE
= v
CES
, v
GE
= 0v -- -- 3.0 毫安
I
GES
g-e 泄漏 电流 V
GE
= v
GES
, v
CE
= 0v -- -- ± 100 nA
在 特性
V
ge(th)
g-e 门槛 电压 I
C
= 40ma, v
CE
= v
GE
3.5 5.0 7.5 V
V
ce(sat)
集电级 至 发射级
饱和 电压
I
C
= 40a
,
V
GE
= 15v
2.5 3.5 4.5 V
动态 特性
C
ies
输入 电容
V
CE
= 30v
,
V
GE
= 0v,
f = 1mhz
-- 2450 -- pF
C
oes
输出 电容 -- 220 -- pF
C
res
反转 转移 电容 -- 75 -- pF
切换 特性
t
d(在)
转变-在 延迟 时间
V
CC
= 600 v, i
C
= 40a,
R
G
= 51
Ω
, v
GE
= 15v,
resistive 加载, t
C
= 25
°
C
-- 100 200 ns
t
r
上升 时间 -- 350 700 ns
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 -- 200 400 ns
t
f
下降 时间 -- 100 300 ns
Q
g
总的 门 承担
V
CE
= 600 v, i
C
= 40a,
V
GE
= 15v
-- 110 170 nC
Q
ge
门-发射级 承担 -- 15 25 nC
Q
gc
门-集电级 承担 -- 40 60 nC
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
FM
二极管 向前 电压
I
F
= 10a
-- 1.3 1.8 V
t
rr
二极管 反转 恢复 时间
I
F
= 10a, di/dt = 200a/美国
-- 170 300 ns
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