FGL40N150D_集成电路资料查询网

fgl40n150d rev. a1
FGL40N150D
©2002 仙童 半导体 公司
图 14. soa 特性
图 13. 门 承担 特性
图 15. 典型 t
rr
vs. di/dt 图 16. 典型 t
rr
vs. 向前 电流
图 17. 反转 电流 vs. 反转 电压
图 18. 典型 向前 电压 漏出
vs. 向前 电流
012345678910
30
60
90
120
150
180
210
240
270
300
200a/美国
100a/美国
di/dt = 50a/美国
反转  恢复 时间, t
rr
[ns]
向前  电流, i
F
[A]
0 50 100 150 200 250 300
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
I
F
= 10a
反转  恢复  时间, t
rr
[ns]
di/dt [a/us]
300.0 600.0 900.0 1.2k 1.5k
1e-3
0.01
0.1
1
10
100
1000
100
℃
T
C
= 125
℃
25
℃
反转 电流, i
R
[uA]
反转 电压, v
R
[V]
0.1
1
10
100
0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6
25
℃
T
C
=125
℃
instantaneous 电压, v
F
[V]
instantaneous 向前 电流, i
F
[A]
0.1 1 10 100 1000
0.01
0.1
1
10
100
单独的 nonrepetitive
脉冲波 tc = 25
o
C
曲线 必须 是 derated
成直线地 和 增加
在 温度
50
µ
s
100
µ
s
1ms
直流 运作
ic 最大值 (搏动)
ic 最大值 (持续的)
集电级 电流, i
C
[A]
集电级 - 发射级 电压, v
CE
[V]
0 25 50 75 100 125 150
0
2
4
6
8
10
12
14
16
一般 发射级
R
L
= 15
Ω
, v
CC
= 600v
T
C
= 25
o
C
门 - 发射级 电压, v
GE
[V]
门 承担, qg [nc]

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fgl40n150d rev. a1 FGL40N150D ©2002 仙童半导体公司图 14. soa 特性图 13. 门承担特性图 15. 典型 t rr vs. di/dt 图 16. 典型 t rr vs. 向前电流图 17. 反转电流 vs. 反转电压图 18. 典型向前电压漏出 vs. 向前电流 012345678910 30 60 90 120 150 180 210 240 270 300 200a/美国 100a/美国 di/dt = 50a/美国反转恢复时间, t rr [ns] 向前电流, i F [A] 0 50 100 150 200 250 300 0 50 100 150 200 250 300 350 400 450 500 I F = 10a 反转恢复时间, t rr [ns] di/dt [a/us] 300.0 600.0 900.0 1.2k 1.5k 1e-3 0.01 0.1 1 10 100 1000 100 ℃ T C = 125 ℃ 25 ℃ 反转电流, i R [uA] 反转电压, v R [V] 0.1 1 10 100 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 25 ℃ T C =125 ℃ instantaneous 电压, v F [V] instantaneous 向前电流, i F [A] 0.1 1 10 100 1000 0.01 0.1 1 10 100 单独的 nonrepetitive 脉冲波 tc = 25 o C 曲线必须是 derated 成直线地和增加在温度 50 µ s 100 µ s 1ms 直流运作 ic 最大值 (搏动) ic 最大值 (持续的) 集电级电流, i C [A] 集电级 - 发射级电压, v CE [V] 0 25 50 75 100 125 150 0 2 4 6 8 10 12 14 16 一般发射级 R L = 15 Ω , v CC = 600v T C = 25 o C 门 - 发射级电压, v GE [V] 门承担, qg [nc]

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