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资料编号:327082
 
资料名称:IRFI520N
 
文件大小: 133.44K
   
说明
 
介绍:
Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.20ohm, Id=7.6A)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IRFI520N
图 1.
典型 输出 特性
图 3.
典型 转移 特性
图 4.
normalized 在-阻抗
vs. 温度
图 2.
典型 输出 特性
1
10
100
0.1 1 10 100
4.5v
i , drain-至-source current (一个)
D
v , 流-至-源 电压 (v)
DS
VGS
顶 15v
10V
8.0v
7.0v
6.0v
5.5v
5.0v
bottom 4.5v
20µs 脉冲波 wIDTH
t = 175°c
C
一个
1
10
100
0.1 1 10 100
i , drain-至-source current (一个)
D
v , 流-至-源 电压 (v)
DS
VGS
顶 15v
10V
8.0v
7.0v
6.0v
5.5v
5.0v
bottom 4.5v
20µs 脉冲波 wIDTH
t = 25°c
C
一个
4.5v
1
10
100
45678910
t = 25°c
J
GS
V, g一个te-至-sourceVoltage (v)
D
i , 流-至-源 电流 (一个)
v = 50v
20µs 脉冲波 w IDTH
DS
t = 175°c
J
一个
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180
J
t , 接合面 temperature (°c)
R, drain-至-sourceOn resistance
ds(在)
(norm alized)
V=10V
GS
一个
i =9.5a
D
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