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IRFI520N
图 7.
典型 源-流 二极管
向前 电压
图 5.
典型 电容 vs.
流-至-源 电压
图 8.
最大 safe 运行 范围
图 6.
典型 门 承担 vs.
门-至-源 电压
0
100
200
300
400
500
600
1 10 100
c, 电容 (pf)
DS
v     , 流-至-源 电压 (v)
一个
V=0V,         f = 1mHz
C=c     + c,   cSHORTED
C=C
C=C+ c
GS
iss         gs         gd         ds
rss         gd
oss        ds         gd
C
iss
C
oss
C
rss
0
4
8
12
16
20
0 5 10 15 20 25
Q, total gateCharge (nc)
G
V, gate-至-sourceVoltage (v)
GS
V=80V
V=50V
V=20V
DS
DS
DS
一个
为 测试 电路
看 图示 13
i    =5.7一个
D
1
10
100
0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
t  = 25°c
J
V=0V
GS
v     , 源-至-流 voltage (v)
i     , 反转 流 电流 (一个)
SD
SD
一个
t  = 175°c
J
0.1
1
10
100
1 10 100 1000
v     , 流-至-源 电压 (v)
DS
i   , 流 电流 (一个)
OPER一个TIO N在TH是一个RE一个LIM ITED
BYR
D
ds(在)
10µs
100µs
1ms
10ms
一个
T=25°C
t     = 175°c
单独的 脉冲波
C
J

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IRFI520N 图 7. 典型源-流二极管向前电压图 5. 典型电容 vs. 流-至-源电压图 8. 最大 safe 运行范围图 6. 典型门承担 vs. 门-至-源电压 0 100 200 300 400 500 600 1 10 100 c, 电容 (pf) DS v , 流-至-源电压 (v) 一个 V=0V, f = 1mHz C=c + c, cSHORTED C=C C=C+ c GS iss gs gd ds rss gd oss ds gd C iss C oss C rss 0 4 8 12 16 20 0 5 10 15 20 25 Q, total gateCharge (nc) G V, gate-至-sourceVoltage (v) GS V=80V V=50V V=20V DS DS DS 一个为测试电路看图示 13 i =5.7一个 D 1 10 100 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 t = 25°c J V=0V GS v , 源-至-流 voltage (v) i , 反转流电流 (一个) SD SD 一个 t = 175°c J 0.1 1 10 100 1 10 100 1000 v , 流-至-源电压 (v) DS i , 流电流 (一个) OPER一个TIO N在TH是一个RE一个LIM ITED BYR D ds(在) 10µs 100µs 1ms 10ms 一个 T=25°C t = 175°c 单独的脉冲波 C J

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