©2002 仙童 半导体 公司 rev. 一个, 六月 2002
FJPF9020
FJPF9020
大而单一的 构建 和 建造 在 根基-发射级
调往 电阻器
• 高 集电级-根基 损坏 电压 : bv
CBO
= -550v
• 高 直流 电流 增益 : h
FE
= 550 @ v
CE
= -4v, i
C
= -1a (典型值.)
• 工业的 使用
pnp 外延的 darlington 晶体管
绝对 最大 比率
T
C
=25
°
C
除非 否则 指出
电的 特性
T
C
=25
°
c 除非 否则 指出
标识 参数 值 单位
V
CBO
集电级-根基 电压 - 550 V
V
CEO
集电级-发射级 电压 - 550 V
V
EBO
发射级-根基 电压 - 6 V
I
C
集电级 电流 (直流) - 2 一个
I
CP
集电级 电流 (脉冲波) - 4 一个
P
C
集电级 消耗 (t
C
=25
°
c) 15 W
T
J
接合面 温度 150
°
C
T
STG
存储 温度 - 55 ~ 150
°
C
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
BV
CBO
集电级-根基 损坏 电压 I
C
= - 100ua, i
E
= 0 - 550 V
BV
CEO
集电级-发射级 损坏 电压 I
C
= - 500ua, i
B
= 0 - 550 V
BV
EBO
发射级-根基 损坏 电压 I
E
= - 200ma, i
C
= 0 -6 V
I
CBO
集电级 截-止 电流 V
CE
= - 550v, i
E
= 0 -100
µ
一个
I
EBO
发射级 截-止 电流 V
EB
= - 6v, i
C
= 0 -10 -20 毫安
h
FE
直流 电流 增益 V
CE
= - 4v, i
C
= - 1a 400 550 700
V
CE
(sat) 集电级-发射级 饱和 电压 I
C
= - 1a, i
B
= - 20ma -1.0 - 1.5 V
V
是
(sat) 根基-发射级 饱和 电压 I
C
= - 1a, i
B
= - 20ma -1.5 - 2.0 V
相等的 电路
B
E
C
R1
R2
R
1600
Ω≅
R
2150
Ω≅
1
1.根基 2.集电级 3.发射级
至-220f
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