©2002 仙童 半导体 公司
FJPF9020
rev. 一个, 六月 2002
典型 特性
图示 1. 静态的 characterstic 图示 2. 直流 电流 增益
图示 3. v
CE
(sat) vs. i
B
特性 图示 4. 集电级-发射级 饱和 电压
图示 5. 根基-发射级 在 电压 图示 6. 输出 电容
-0 -1 -2 -3 -4 -5
-0.0
-0.5
-1.0
-1.5
-2.0
-2.5
-3.0
I
B
= - 40ma
I
B
= - 15ma
I
B
= - 3ma
I
B
= - 1.5ma
I
C
[a], 集电级 电流
V
CE
[v], 集电级-发射级 电压
-0.1 -1
10
100
1000
125
o
C
75
o
C
25
o
C
- 25
o
C
V
CE
= - 4v
- 4
- 0.03
H
FE
, 直流 电流 增益
I
C
[a], 集电级 电流
-1e-3 -0.01 -0.1
-0
-1
-2
-3
-4
- 0.4
I
C
= - 2a
I
C
= - 1a
V
CE
(sat) [v], 饱和 电压
I
B
[a], 根基 电流
-1
-0
-1
-2
-3
125
o
C
75
o
C
25
o
C
- 25
o
C
I
C
/ i
B
= 50
- 4
- 0.2
V
CE
(sat) [v], 饱和 电压
I
C
[a], 集电级 电流
-0.0 -0.5 -1.0 -1.5 -2.0 -2.5 -3.0
-0.0
-0.5
-1.0
-1.5
-2.0
125
o
C
75
o
C
25
o
C
- 25
o
C
V
CE
= - 4v
I
C
[a], 集电级 电流
V
是
[v], 根基-发射级 电压
-0 -5 -10 -15 -20 -25
10
100
1000
f = 1mhz
cob [pf], 输出 电容
V
CB
[v], 集电级-根基 电压
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