©2004 仙童 半导体 公司 rev. b1, april 2004
FKPF8N80
bi-directional triode thyristor planar 硅
绝对 最大 比率
T
C
=25
°
C
除非 否则 指出
热的 典型的
标识 参数 比率 单位
V
DRM
repetitive 顶峰 止-状态 电压
(note1 )
800 V
标识 参数 情况 比率 单位
I
t (rms)
rms 在-状态 电流 商业的 频率, sine 全部 波 360
°
传导, t
C
=91
°
C
8A
I
TSM
surge 在-状态 电流 sinewave 1 全部 循环, 顶峰 值,
非-repetitive
50Hz 80 一个
60Hz 88 一个
I
2
t i
2
t 为 fusing 值 相应的 至 1 循环 的 halfwave,
surge 在-状态 电流, tp=10ms
32 一个
2
s
di/dt 核心的 比率 的 上升 的 在-状态 电流 I
G
= 2x i
GT
, tr
≤
100ns 50 一个/
µ
s
P
GM
顶峰 门 电源 消耗 5 W
P
g (av)
平均 门 电源 消耗 0.5 W
V
GM
顶峰 门 电压 10 V
I
GM
顶峰 门 电流 2A
T
J
接合面 温度 - 40 ~ 125
°
C
T
STG
存储 温度 - 40 ~ 125
°
C
V
iso
分开 电压 Ta=25
°
c, 交流 1 分钟, t
1
T
2
g 终端 至
情况
1500 V
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
R
th(j-c)
热的 阻抗 接合面 至 情况
(便条 4)
--3.6
°
c/w
FKPF8N80
应用 explanation
• 切换 模式 电源 供应, 明亮的 dimmer, electric flasher 单位, hair drier
• tv sets, 立体的, refrigerator, washing 机器
• electric blanket, solenoid 驱动器, 小 发动机 控制
• photo copier, electric tool
1 2 3
至-220f
1
2
3
1: t
1
2: t
2
3: 门
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