©2004 仙童 半导体 公司 rev. b1, april 2004
FKPF8N80
电的 特性
T
C
=25
°
c 除非 否则 指出
注释:
1. 门 打开
2. 度量 使用 这 门 触发 特性 度量 电路
3. 这 核心的-比率 的 上升 的 这 止-状态 commutating 电压 是 显示 在 这 表格 在下
4. 这 联系 热的 阻抗 r
th(c-f)
在 情况 的 greasing 是 0.5
°
c/w
quadrant 定义 为 一个 triac
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
DRM
repetieive 顶峰 止-状态 电流 V
DRM
应用 - - 20
µ
一个
V
TM
在-状态 电压 T
C
=25
°
c, i
TM
=12A
instantaneous 度量
--1.5v
V
GT
门 触发 电压
(便条 2)
I
V
D
=12v, r
L
=20
Ω
t2(+), 门 (+) - - 1.5 V
II t2(+), 门 (-) - - 1.5 V
III t2(-), 门 (-) - - 1.5 V
I
GT
门 触发 电流
(便条 2)
I
V
D
=12v, r
L
=20
Ω
t2(+), 门 (+) - - 30 毫安
II t2(+), 门 (-) - - 30 毫安
III t2(-), 门 (-) - - 30 毫安
V
GD
门 非-触发 电压 T
J
=125
°
c, v
D
=1/2v
DRM
0.2--v
I
H
支持 电流 V
D
= 12v, i
TM
= 1a 50 毫安
I
L
闭锁 电流 i, iii V
D
= 12v, i
G
= 1.2i
GT
50 毫安
II 70 毫安
dv/dt 核心的 比率 的 上升 的
止-状态 voltag
V
DRM
= 评估, t
j
= 125
°
c,
exponential 上升
300 v/
µ
s
(dv/dt)
C
核心的-比率 的 上升 的 止-状态
commutating 电压
(便条 3)
10 - - v/
µ
s
V
DRM
(v)
测试 情况
commutating 电压 和 电流 波形
(inductive 加载)
FKPF8N80 1. 接合面 温度
T
J
=125
°
C
2. 比率 的 decay 的 在-状态
commutating 电流
(di/dt)
C
= - 4.5a/ms
3. 顶峰 止-状态 电压
V
D
= 400v
供应 电压
主要的 电流
主要的 电压
时间
时间
时间
V
D
(dv/dt)
C
(di/dt)
C
t2 积极的
+
-
t2 负的
quadrant ii quadrant i
quadrant iii quadrant iv
I
GT
-+ i
GT
(+) t2
(+) i
GT
门
T1
(+) t2
(-) i
GT
门
T1
(-) t2
(+) i
GT
门
T1
(-) t2
(-) i
GT
门
T1
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