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资料编号:329231
 
资料名称:FM1808-70-S
 
文件大小: 89.9K
   
说明
 
介绍:
256Kb Bytewide FRAM Memory
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
Ramtron FM1808-70
27July2000 8/12
读 循环
交流 参数
ta =-40
°
c 至 + 85
°
c, vdd = 4.5v 至 5.5v 除非 否则 指定
标识 Parameter -70 -120 单位 注释
最小值 最大值 最小值 最大值
tCE 碎片 使能 进入 时间 (至 数据 有效的) 70 120 ns
tCA 碎片 使能 起作用的 时间 70 10,000 120 10,000 ns
tRC 读 循环 时间 130 180 ns
tPC precharge 时间 60 60 ns
tAS 地址 建制 时间 5 5 ns
tAH 地址 支撑 时间 10 10 ns
tOE 输出 使能 进入 时间 10 10 ns
tHZ 碎片 使能 至 输出 高-Z 15 15 ns 1
tOHZ 输出 使能 至 输出 高-Z 15 15 ns 1
写 循环
交流 参数
ta =-40
°
c 至 + 85
°
c, vdd = 4.5v 至 5.5v unless 否则 指定
标识 参数 -70 -120 单位 注释
最小值 最大值 最小值 最大值
tCA 碎片 使能 起作用的 时间 70 10,000 120 10,000 ns
tCW 碎片 使能 至 写 高 70 120 ns
tWC 写 循环 时间 130 180 ns
tPC precharge 时间 60 60 ns
tAS 地址ess 建制 时间 0 0 ns
tAH 地址 支撑 时间 10 10 ns
tWP 写 使能 脉冲波 宽度 40 40 ns
tDS 数据 建制 30 40 ns
tDH 数据 支撑 5 5 ns
tWZ 写 使能 低 至 输出 高 z 15 15 ns 1
tWX 写 使能 高 至 输出 驱动 10 10 ns 1
tHZ 碎片 使能 至 输出 高-Z 15 15 ns 1
tWS 写 建制 0 0 ns 2
tWH 写 支撑 0 0 ns 2
注释
1 这个 参数 是 periodically 抽样 和 不 100% 测试.
2 这 relationship 在 /ce 和 /我们 确定 如果 一个 /ce-或者 /我们-控制 写occurs. 那里 是 非 定时
规格 有关联的 和 这个 relationship.
电源 循环 定时
ta =-40
°
c 至 + 85
°
c, vdd = 4.5v 至 5.5v 除非 否则 指定
标识 参数 最小值 单位 注释
tPU vdd 最小值 至 第一 进入 开始 1
µ
S
tPD last access 完全 至 vdd 最小值 0
µ
S
电容
ta = 25
°
c , f=1.0 mhz, vdd = 5v
标识 参数 最大值 单位 注释
ci/o 输入 输出 电容 8 pF
CIN 输入 电容 6 pF
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