初步的
这个数据 薄板 包含 设计 规格 为 产品 开发.
ramtron 国际的 公司
这些 规格 将 改变 在 任何 manner 没有 注意. 1850 ramtron 驱动, colorado springs, co 80921
(800) 545-fram, (719) 481-7000, 传真 (719)481-7058
www.ramtron.com
27July2000 1/12
FM1808
256kb bytewide fram 记忆
特性
256k 位 ferroelectric nonvolatile 内存
•
有组织的 作 32,768 x 8 位
•
高 忍耐力 10 billion (10
10
) 读/写
•
10 年 数据 保持 在 85
°
C
•
nodelay™ 写
•
先进的 高-可靠性 ferroelectric process
更好的 至 bbsram modules
•
非 电池 concerns
•
大而单一的 可靠性
•
真实 表面 挂载 解决方案, 非 rework 步伐
•
更好的 为 潮气, shock, 和 震动
•
resistant 至 负的 电压 undershoots
sram &放大; 可擦可编程只读存储器 兼容
•
电子元件工业联合会 32kx8 sram &放大; e非易失存储器 引脚
•
70 ns 进入 时间
•
130 ns 循环 时间
•
equal 进入 &放大; 循环 时间 为 读 和 写
低 电源 运作
•
25 毫安 起作用的 电流
•
20
µ
一个 备用物品 电流
工业 标准 配置
•
工业的 温度-40
°
c 至 +85
°
C
•
28-管脚 sop 或者 插件
Description
这 fm1808 是 一个 256-kilobit nonvolatile 记忆
employing 一个 先进的 ferroelectric 处理. 一个
ferroelectric 随机的 进入 记忆 或者 fram 是
nonvolatile 但是 运作 在 其它 respects 作 一个 内存.
它 提供 数据 保持 为 10 年 当
eliminating 这 可靠性 concerns, 函数的
disadvantages 和 系统 设计 complexities 的
电池-backed sram. 它’s 快 写 和 高 写
忍耐力 制造 它 更好的 至 其它 类型 的
nonvolatile 记忆.
在-系统 运作 的 这 fm1808 是 非常 similar 至
其它 内存 为基础 设备. 记忆 读-和 写-
循环 需要 equal 时间. 这 fram 记忆,
不管怎样, 是 nonvolatile 预定的 至 它的 唯一的 ferroelectric
记忆 处理. 不像 bbsram, 这 fm1808 是 一个
truly 大而单一的 nonvolatile 记忆. 它 提供 这
same 函数的 益处 的 一个 快 写 没有 这
严重的 disadvantages 有关联的 和 modules 和
batteries 或者 混合的 记忆 解决方案.
这些 能力 制造 这 fm1808 完美的 为
nonvolatile 记忆 产品 需要 frequent 或者
迅速 写 在一个bytewide 环境. 这
有效性 的 一个 真实 表面-挂载 包装 改进
这 manufacturability 的 新 设计, 当 这 插件
包装 facilitates 简单的 设计 retrofits. 这
fm1808 提供 有保证的 运作 在 一个
工业的 温度 范围 的-40°c 至 +85°c.
管脚 配置
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
CE
A10
OE
A11
A9
A8
A13
我们
VDD
订货 信息
FM1808-70-P 70 ns 进入, 28-管脚 塑料 插件
FM1808-70-S 70 ns 进入, 28-管脚 sop
FM1808-120-P 120 ns 进入, 28-管脚 塑料 插件
FM1808-120-S 120 ns 进入, 28-管脚 sop
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