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FMB200
典型 特性
(持续)
根基-发射级 饱和
电压 vs 集电级 电流
0.1 1 10 100 300
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
i   - 集电级 电流  (毫安)
v       - 根基 发射级 电压 (v)
C
BESAT
β
= 10
25 °c
- 40 ºc
125 ºc
根基 发射级 在 电压 vs
集电级 电流
0.1 1 10 100 200
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
i   - 集电级 电流  (毫安)
v        - 根基 发射级 在 电压 (v)
C
BEON
v     = 5v
CE
25 °c
- 40 ºc
125 ºc
集电级-截止 电流
vs. 包围的 温度
25 50 75 100 125
0.01
0.1
1
10
100
t  - 包围的 温度 (  c)
i     - 集电级 电流 (na)
一个
CBO
º
v     = 50v
CB
Ω
CER
集电级-发射级 损坏
电压 和 阻抗
在 发射级-根基
0.1 1 10 100 1000
70
75
80
85
90
95
阻抗 (k   )
bv       - 损坏 电压 (v)
集电级 饱和 区域
100 300 700 2000 4000
0
1
2
3
4
i   - 根基 电流  (ua)
v    - 集电级-发射级 电压 (v)
CE
B
50 毫安
300 毫安
100 ua
ta = 25°c
ic =
输入 和 输出 电容
vs 反转 电压
0.1 1 10 100
10
100
v    - 集电级 电压(v)
电容 (pf)
Cib
Cob
f = 1.0 mhz
ce
pnp multi-碎片 一般 目的 放大器
(持续)

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FMB200 典型特性 (持续) 根基-发射级饱和电压 vs 集电级电流 0.1 1 10 100 300 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 i - 集电级电流 (毫安) v - 根基发射级电压 (v) C BESAT β = 10 25 °c - 40 ºc 125 ºc 根基发射级在电压 vs 集电级电流 0.1 1 10 100 200 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 i - 集电级电流 (毫安) v - 根基发射级在电压 (v) C BEON v = 5v CE 25 °c - 40 ºc 125 ºc 集电级-截止电流 vs. 包围的温度 25 50 75 100 125 0.01 0.1 1 10 100 t - 包围的温度 ( c) i - 集电级电流 (na) 一个 CBO º v = 50v CB Ω CER 集电级-发射级损坏电压和阻抗在发射级-根基 0.1 1 10 100 1000 70 75 80 85 90 95 阻抗 (k ) bv - 损坏电压 (v) 集电级饱和区域 100 300 700 2000 4000 0 1 2 3 4 i - 根基电流 (ua) v - 集电级-发射级电压 (v) CE B 50 毫安 300 毫安 100 ua ta = 25°c ic = 输入和输出电容 vs 反转电压 0.1 1 10 100 10 100 v - 集电级电压(v) 电容 (pf) Cib Cob f = 1.0 mhz ce pnp multi-碎片一般目的放大器 (持续)

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