FMB200
pnp multi-碎片 一般 目的 放大器
这个 设备 是 设计 为 一般 目的 放大器 产品 在 集电级
电流 至 300 毫安. sourced 从 处理 68.
绝对 最大 ratings*
T
一个
= 25°c 除非 否则 指出
*
这些 比率 是 限制的 值 在之上 这个 这 serviceability 的 任何 半导体 设备 将 是 impaired.
注释
:
1)
这些 比率 是 为基础 在 一个 最大 接合面 温度 的 150 degrees c.
2)
这些 是 稳步的 状态 限制. 这 工厂 应当 是 consulted 在 产品 involving 搏动 或者 低 职责 循环 行动.
热的 特性
T
一个
= 25°c 除非 否则 指出
标识 参数 值 单位
V
CEO
集电级-发射级 电压 45 V
V
CBO
集电级-根基 电压 60 V
V
EBO
发射级-根基 电压 6.0 V
I
C
集电级 电流 - 持续的 500 毫安
T
J
, t
stg
运行 和 存储 接合面 温度 范围 -55 至 +150
°
C
分离的 电源 &放大; 信号
科技
1998 仙童 半导体 公司
FMB200
SuperSOT
-6
mark: .n2
C1
E1
C2
B1
E2
B2
管脚 #1
标识 典型的 最大值 单位
FMB200
P
D
总的 设备 消耗
减额 在之上 25
°
C
700
5.6
mW
mw/
°
C
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面 至 包围的 180
°
c/w