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资料编号:331205
 
资料名称:IRFP048N
 
文件大小: 117.23K
   
说明
 
介绍:
Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.016ohm, Id=64A)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IRFP048N
图 1.
典型 输出 特性
图 3.
典型 转移 特性
图 4.
normalized 在-阻抗
vs. 温度
图 2.
典型 输出 特性
0.1
1
10
100
1000
0.1 1 10 100
i , d ra在-至-sourceC urrent (一个 )
D
v , 流-至-源 电压 (v)
DS
VGS
顶 15v
10V
8.0v
7.0v
6.0v
5.5v
5.0v
BOTTOM4.5v
20µs 脉冲波 wIDTH
T=25°C
C
一个
4.5v
0.1
1
10
100
1000
0.1 1 10 100
4.5V
i , d rain-至-source current (一个)
D
V, dra-至-所以urce voltage (v)
DS
VGS
顶 15v
10V
8.0v
7.0v
6.0v
5.5v
5.0v
BOTTOM4.5v
20µs pULSEWIDTH
T= 175°C
C
一个
0.1
1
10
100
1000
45678910
T= 25°c
J
GS
v , gate-至-所以urce 电压 (v)
D
I, dr一个在-至-s ourceC urre nt (一个 )
T= 175°c
J
一个
V=25V
20µs 脉冲波 w IDTH
DS
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180
J
t , junction temperature (°c)
R , drain-至-s ource on resistance
ds(在)
(非rm一个lized)
V =10V
GS
一个
I=53一个
D
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