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资料编号:331205
 
资料名称:IRFP048N
 
文件大小: 117.23K
   
说明
 
介绍:
Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.016ohm, Id=64A)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IRFP048N
图 8.
最大 safe 运行 范围
图 6.
典型 门 承担 vs.
门-至-源 电压
图 5.
典型 电容 vs.
流-至-源 电压
图 7.
典型 源-流 二极管
向前 电压
0
1000
2000
3000
4000
1 10 100
C, c一个pacitance (pf)
DS
V, drain-至-所以urce voltage (v)
一个
V=0V,f=1M Hz
C=C+C,CSHORTE D
C=C
C=C+C
GS
iss gs gd ds
rss gd
oss ds gd
C
s
C
oss
C
rss
0
4
8
12
16
20
0 20 40 60 80 100
Q, 总的 门 charge (nc)
G
V , g ate-至-source v oltage(v )
GS
一个
为 test 电路
SEE URE13
I=32A
V=44V
V=28V
D
DS
DS
0.1
1
10
100
1000
0.2 0.6 1.0 1.4 1.8 2.2 2.6
t = 25°c
J
V=0V
GS
v , 源-至-流 电压 (v)
i , reverseDrain current (一个)
SD
SD
一个
t = 175°c
J
1
10
100
1000
1 10 100
V, 流-至-源 电压 (v)
DS
i , drain current (一个)
运作 在 这个范围限制D
By r
D
ds(在)
10µs
100µs
1ms
10ms
一个
T =25°C
T =175°C
S gle Pu lse
C
J
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