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资料编号:331494
 
资料名称:IRFPS59N60C
 
文件大小: 68.77K
   
说明
 
介绍:
SMPS MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IRFPS59N60C
2 www.irf.com
参数 典型值 最大值 单位
E
avalanche 电流
––– 35 一个
E
AR
repetitive avalanche 活力
––– 39 mJ
avalanche 特性
S
D
G
参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
I
S
持续的 源 电流 场效应晶体管 标识
(身体 二极管)
––– –––
表明 这
I
SM
搏动 源 电流 integral 反转
(身体 二极管)
––– –––
p-n 接合面 二极管.
V
SD
二极管 向前 电压 ––– ––– 1.2 V T
J
= 25°c, i
S
= 35a, v
GS
= 0v

t
rr
= 25°c, i
F
= 35a
Q
rr
反转 recoverycharge ––– 20 30 µC di/dt = 100a/µs
t
向前 转变-在 时间 intrinsic 转变-在 时间 是 negligible (转变-在 是 dominated 用 l
S
+L
D
)
二极管 特性
59
240
一个
参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
V
(br)dss
流-至-源 损坏 电压 600 ––– ––– V V
GS
= 0v, i
D
= 250µa
V
(br)dss
/
T
J
损坏 电压 温度 系数 ––– 0.43 ––– v/°c 涉及 至 25°c, i
D
= 1ma
R
ds(在)
静态的 流-至-源 在-阻抗 ––– ––– 0.045
V
GS
= 10v, i
D
= 35a

V
gs(th)
门 门槛 电压 4.0 ––– 6.0 V V
DS
= v
GS
, i
D
= 250µa
––– ––– 100
µA
V
DS
= 600v, v
GS
= 0v
––– ––– 500 V
DS
= 480v, v
GS
= 0v, t
J
= 125°c
= 20v
门-至-源 反转 泄漏 ––– ––– -100
nA
V
GS
= -20v
静态的 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
I
GSS
I
DSS
流-至-源 泄漏 电流
参数 典型值 最大值 单位
R
θ
JC
接合面-至-情况 ––– 0.32
R
θ
CS
情况-至-下沉, flat, greased 表面 0.24 ––– °c/w
R
θ
JA
接合面-至-包围的 ––– 40
热的 阻抗
参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
g
fs
向前 跨导 35 ––– ––– S V
DS
= 50v, i
D
= 35a
Q
g
总的 门 承担 ––– ––– 490 i
D
= 35a
Q
gs
门-至-源 承担 ––– ––– 100 nC V
DS
= 360v
Q
gd
门-至-流 ("miller") 承担 ––– ––– 250 V
GS
= 10v
t
d(在)
转变-在 延迟 时间 ––– 33 ––– V
DD
= 300v
t
r
上升 时间 ––– 110 ––– I
D
= 35a
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 ––– 86 ––– R
G
= 1.0
t
f
下降 时间 ––– 18 ––– R
D
= 8.5

C
iss
输入 电容 ––– 10490 ––– V
GS
= 0v
C
oss
输出 电容 ––– 5140 ––– V
DS
= 25v
C
rss
反转 转移 电容 ––– 280 ––– pF ƒ = 1.0mhz,
C
oss
输出 电容 ––– 24050 ––– V
GS
= 0v, v
DS
= 1.0v, ƒ = 1.0mhz
C
oss
输出 电容 ––– 220 ––– V
GS
= 0v, v
DS
= 480v, ƒ = 1.0mhz
C
oss
eff. 有效的 输出 电容 ––– 370 ––– V
GS
= 0v, v
DS
= 0v 至 480v
动态 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
ns
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