IRFPS59N60C
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参数 最大值 单位
I
D
@ t
C
= 25°c 持续的 流 电流, v
GS
@ 10v 59
I
D
@ t
C
= 100°c 持续的 流 电流, v
GS
@ 10v 37 一个
I
DM
搏动 流 电流
240
P
D
@T
C
= 25°c 电源 消耗 390 W
直线的 减额 因素 3.1 w/°c
V
GS
门-至-源电压 ± 20 V
dv/dt 顶峰 二极管 恢复 dv/dt
TBD v/ns
T
J
运行 接合面 和 -40 至 + 150
T
STG
存储 温度 范围 -55 至 + 150
焊接 温度, 为 10 秒 300 (1.6mm 从 情况 )
推荐 clip 强迫 20 N
smps 场效应晶体管
HEXFET
®
电源 场效应晶体管
绝对 最大 比率
转变 模式 电源 供应 (smps)
uninterruptible 电源 供应
高 速 电源 切换
益处
产品
低 门 承担 qg 减少 驱动
必需的
改进 门 阻抗 为 faster
切换
全部地 典型 电容 和
avalanche 电压 和 电流
最低 传导 丧失 在 包装
外形
有效的 c
OSS
指定 (看 一个 1001)
V
DSS
R
ds(在)
最大值 I
D
600V 0.045
Ω
59A
适用 止 线条 smps topologies:
电源 因素 纠正 boost
全部 桥
pd - 90380
超级的
-
247™
PROVISIONAL
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