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rev d, july 2000
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图示 1: 门 承担 改进
保持平衡 和 门 承担 改进, 这 在-阻抗 [r
ds(在)
] 变得 向下 用 关于 20 每-
cent 和 遵守 至 previous 设备 相比 流 电流. 图示 2 显示 这 改进 的 在-
阻抗 在 一个 qfet 对照的 和 一个 场效应晶体管.
图示 2: 在-阻抗 改进 vs. 流 电流
这 联合的 改进 的 门 承担 和 在-阻抗 在 这个 60 watt flyback 转换器
leads 至 一个 更多 效率高的 系统 因为 的 这 减少 转变-止 传导 丧失. 它 是 worth
emphasizing 那 qfets 提供 designers 重大的 改进 在 条款 的 更小的 整体的 系统
费用 预定的 至 更小的 门 驱动器 (所需的)东西, 一个 小 热温 下沉, 和 narrower pcb. 表格 1 illus-
trates 这 特性 这个 是 有用的 在 flyback 转换器 和 其它 产品.
表格 1: q
g
和 r
ds(在)
改进
电压 比率 设备 在-阻抗 门 承担 包装
600V 常规的 部分 1.2
Ω
65 nc 至-220
600V fqp7n60(qfet) 1.0
Ω
38 nc 至-220
QFET
FQP7N60
1234567
0.70
0.75
0.80
0.85
0.90
0.95
1.00
1.05
1.10
常规的 场效应晶体管
qfet (fqp7n60)
在-阻抗 : rds
(在)
[
Ω
]
流 电流 : id [a]
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