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rev d, july 2000
图示 5 比较 这 波形 的 一个 常规的 场效应晶体管 和 这 新 qfet(fqp7n60) 在
转变-止 没有 这 额外的 clamped 电路 (r5, c6, 和 d2), 和 这 高 传导 二极管 (d4)
为 门 discharging (谈及 至 图示 3).
图示 5: 转变-止 改进 在 评估 情况 (v
在
=220vac, p
输出
=60w)
便条 那 这 切换 时间 的 这 qfet 是 faster 比 那 的 这 常规的 场效应晶体管 因为
的 这 减少 的 门 承担 用 在 least 45 百分比. 图示 6 显示 这 区别 在 转变-止 丧失
在 两个都 mosfets 没有 clamped 电路 和 这 传导 二极管, d4. 这 转变-在 丧失
在 这 转型 losses 是 非常 小 和 能 是 negligible. 这 转变-止 丧失 时期 是 预定的 至 这
finite 切换 时间 的 这 场效应晶体管 这个 是 直接地 related 至 这 门 承担.
图示 6: 转变-止 丧失 改进
常规的
场效应晶体管
QFET
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常规的
场效应晶体管
QFET
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