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THYRISTORS
03p4mg,03p6mg
300 毫安 高-承受-电压 模型 scr
数据 薄板
文档 非. d15290ej4v0ds00 (4th 版本)
日期 发行 二月 2003 ns cp(k)
打印 在 日本
2002
这 mark
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描述
这 03p4mg 和 03p6mg 是 p-门 全部地 diffused 模型 scrs
和 一个 平均 在-状态 电流 的 300 毫安. 这 repeat 顶峰
止-状态 电压 (和 反转 电压) 是 400 和 600 v.
特性
•
400 和 600 v 高-承受-电压 序列 的 产品
•
这 非-repetitive 承受 电压 是 一个 高 700 v, 制造
它 容易 至 harmonize 这 上升 电压 的 这 surge absorber.
•
高-敏锐的 thyristor (i
GT
= 3 至 50
µ
一个)
•
雇用 flame-retardant 环氧的 resin (ul94v-0)
产品
泄漏 breakers, ssrs, 各种各样的 类型 的 alarms, 消费者
电子的 equipments 和 automobile 电子的 组件
绝对 最大 比率 (t
一个
= 25°c)
参数 标识 比率 单位 Remarks
03P4MG 03P6MG
非-repetitive 顶峰 反转 电压 V
RSM
700 700 V
R
GK
= 1 k
Ω
非-repetitive 顶峰 止-状态 电压 V
DSM
700 700 V
R
GK
= 1 k
Ω
repetitive 顶峰 反转 电压 V
RRM
400 600 V
R
GK
= 1 k
Ω
repetitive 顶峰 止-状态 电压 V
DRM
400 600 V
R
GK
= 1 k
Ω
平均 在-状态 电流 I
t(av)
300 (t
一个
= 30°c, 单独的 half-波,
θ
= 180°)
毫安 谈及 至 图示 10.
有效的 在-状态 电流 I
t(rms)
470
毫安
−
surge 在-状态 电流 I
TSM
8 (f = 50 hz, sine half-波, 1 循环)
一个 谈及 至 图示 2.
fusing 电流
∫
i
T
2
dt 0.15 (1 ms
≤
t
≤
10 ms)
一个
2
s
−
核心的 比率 的 在-状态 电流 的 上升 dI
T
/dt 20
一个/
µ
s
−
顶峰 门 电源 消耗 P
GM
100 (f
≥
50 hz, 职责
≤
10%)
mW 谈及 至 图示 3.
平均 门 电源 消耗 P
g(av)
10
mW 谈及 至 图示 3.
顶峰 门 向前 电流 I
FGM
100 (f
≥
50 hz, 职责
≤
10%)
毫安
−
顶峰 门 反转 电压 V
RGM
6
V
−
接合面 温度 T
j
−
40 至 +125
°C
−
存储 温度 T
stg
−
55 至 +150
°C
−
包装 绘画 (单位: mm)
1.27
2.54
1.77 最大值
4.2 最大值
13
1.5
12.7 最小值 5.5 最大值
5.2 最大值
φ
0.5
2
electrode 连接
1: 门
2: anode
3: cathode
*T
C
测试 bench-mark
标准 重量: 0.3 g
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