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资料编号:3332
 
资料名称:03P4MG
 
文件大小: 155.18K
   
说明
 
介绍:
300 mA HIGH-WITHSTANDING-VOLTAGE MOLD SCR
 
 


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数据 薄板 d15290ej4v0ds
2
03p4mg,03p6mg
电的 特性 (t
j
= 25°c, r
GK
= 1 k
ΩΩ
)
参数 标识 情况 规格 单位 Remarks
最小值 典型值 最大值
非-repetitive 顶峰 反转 I
RRM
V
RM
= v
RRM
T
j
= 25°c
−−
10
µ
一个
电流 T
j
= 125°c
−−
100
µ
一个
非-repetitive 顶峰 止-状态 I
DRM
V
DM
= v
DRM
T
j
= 25°c
−−
10
µ
一个
电流 T
j
= 125°c
−−
100
µ
一个
核心的 比率-的-上升 的 止-状态 dV
D
/dt 10
−−
v/
µ
s
电压
T
j
= 125°c, v
DM
=
3
2
V
DRM
在-状态 电压 V
T
I
T
= 4 一个
−−
2.2 V 谈及 至 图示 1.
门 触发 电流 I
GT
V
DM
= 6 v, r
L
= 100
3
50
µ
一个
门 触发 电压 V
GT
V
DM
= 6 v, r
L
= 100
Ω−−
0.8 V
门 非-触发 电压 V
GD
T
j
= 125°c, v
DM
=
2
V
DRM
0.2
−−
V
支持 电流 I
H
V
DM
= 24 v, i
TM
= 4 一个
−−
5mA
转变-止 时间 t
q
T
j
= 125°c, i
T
= 200 毫安,
60
µ
s
dI
R
/dt = 15 一个/
µ
s, v
R
25 v,
V
DM
=
2
3
V
DRM
, dv
D
/dt = 10 v/
µ
s
热的 阻抗 R
th(j-c)
接合面-至-情况 直流
−−
50 °c/w 谈及 至 图示 14.
R
th(j-一个)
接合面-至-包围的 直流
−−
230 °c/w 谈及 至 图示 14.
典型 特性 (t
一个
= 25°c)
图示 1. i
T
vs.
υ
υυ
υ
T
特性 图示 2. i
TSM
比率
在-状态 电流 i
T
(毫安)
最大值
0123
T
j
= 125˚c
25˚C
10000
1000
100
10
在-状态 电压
υ
T
(v)
surge 在-状态 电流 i
TSM
(一个)
在 最初的, t
j
= 125
˚
C
I
TSM
10 ms
20 ms
14
12
10
8
6
4
2
0
1 10 100550
循环 (n)
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