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二月.1999
mitsubishi nch 电源 场效应晶体管
fs50as-03
高-速 切换 使用
电的 特性
(tch = 25
°
c)
0
10
20
30
40
50
0 20050 100 150
电源 消耗 减额 曲线
情况 温度   t
C
(°c)
电源 消耗   p
D
(w)
最大 safe 运行 范围
流-源 电压   v
DS
(v)
流 电流   i
D
(一个)
输出 特性
(典型)
流 电流   i
D
(一个)
流-源 电压   v
DS
(v)
输出 特性
(典型)
流 电流   i
D
(一个)
流-源 电压   v
DS
(v)
10
0
3
5
7
10
1
2
3
5
7
10
2
2
3
5
7
10
0
357 2 10
1
357 2 10
2
357
2
3
23
tw = 10
m
s
T
C
= 25°c
单独的 脉冲波
100
m
s
10ms
1ms
直流
0
10
20
30
40
50
0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0
V
GS
= 20v 10V 8V
5V
6V
T
C
= 25°c
脉冲波 测试
P
D
= 35w
0
4
8
12
16
20
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
V
GS
= 20v 7V 6V
4V
5V
T
C
= 25°c
脉冲波 测试
10V
V
(br) dss
I
GSS
I
DSS
V
gs (th)
r
ds (在)
V
ds (在)

y
fs

C
iss
C
oss
C
rss
t
d (在)
t
r
t
d (止)
t
f
V
SD
R
th (ch-c)
t
rr
V
µ
一个
毫安
V
m
Ω
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
°
c/w
ns
30
—
—
2.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
3.0
17
0.425
23
1300
500
240
25
120
55
68
1.0
—
60
—
±
0.1
0.1
4.0
23
0.575
—
—
—
—
—
—
—
—
1.5
3.57
—
流-源 损坏 电压
门-源 泄漏 电流
流-源 泄漏 电流
门-源 门槛 电压
流-源 在-状态 阻抗
流-源 在-状态 电压
向前 转移 admittance
输入 电容
输出 电容
反转 转移 电容
转变-在 延迟 时间
上升 时间
转变-止 延迟 时间
下降 时间
源-流 电压
热的 阻抗
反转 恢复 时间
标识 单位参数 测试 情况
限制
最小值 典型值 最大值
I
D
= 1ma, v
GS
= 0v
V
GS
=
±
20v, v
DS
= 0v
V
DS
= 30v, v
GS
= 0v
I
D
= 1ma, v
DS
= 10v
I
D
= 25a, v
GS
= 10v
I
D
= 25a, v
GS
= 10v
I
D
= 25a, v
DS
= 10v
V
DS
= 10v, v
GS
= 0v, f = 1mhz
V
DD
= 15v, i
D
= 25a, v
GS
= 10v, r
GEN
= r
GS
= 50
Ω
I
S
= 25a, v
GS
= 0v
频道 至 情况
I
S
= 25a, dis/dt = –50a/
µ
s
效能 曲线

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二月.1999 mitsubishi nch 电源场效应晶体管 fs50as-03 高-速切换使用电的特性 (tch = 25 ° c) 0 10 20 30 40 50 0 20050 100 150 电源消耗减额曲线情况温度 t C (°c) 电源消耗 p D (w) 最大 safe 运行范围流-源电压 v DS (v) 流电流 i D (一个) 输出特性 (典型) 流电流 i D (一个) 流-源电压 v DS (v) 输出特性 (典型) 流电流 i D (一个) 流-源电压 v DS (v) 10 0 3 5 7 10 1 2 3 5 7 10 2 2 3 5 7 10 0 357 2 10 1 357 2 10 2 357 2 3 23 tw = 10 m s T C = 25°c 单独的脉冲波 100 m s 10ms 1ms 直流 0 10 20 30 40 50 0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 V GS = 20v 10V 8V 5V 6V T C = 25°c 脉冲波测试 P D = 35w 0 4 8 12 16 20 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 V GS = 20v 7V 6V 4V 5V T C = 25°c 脉冲波测试 10V V (br) dss I GSS I DSS V gs (th) r ds (在) V ds (在)  y fs  C iss C oss C rss t d (在) t r t d (止) t f V SD R th (ch-c) t rr V µ 一个毫安 V m Ω V S pF pF pF ns ns ns ns V ° c/w ns 30 — — 2.0 — — — — — — — — — — — — — — — — 3.0 17 0.425 23 1300 500 240 25 120 55 68 1.0 — 60 — ± 0.1 0.1 4.0 23 0.575 — — — — — — — — 1.5 3.57 — 流-源损坏电压门-源泄漏电流流-源泄漏电流门-源门槛电压流-源在-状态阻抗流-源在-状态电压向前转移 admittance 输入电容输出电容反转转移电容转变-在延迟时间上升时间转变-止延迟时间下降时间源-流电压热的阻抗反转恢复时间标识单位参数测试情况限制最小值典型值最大值 I D = 1ma, v GS = 0v V GS = ± 20v, v DS = 0v V DS = 30v, v GS = 0v I D = 1ma, v DS = 10v I D = 25a, v GS = 10v I D = 25a, v GS = 10v I D = 25a, v DS = 10v V DS = 10v, v GS = 0v, f = 1mhz V DD = 15v, i D = 25a, v GS = 10v, r GEN = r GS = 50 Ω I S = 25a, v GS = 0v 频道至情况 I S = 25a, dis/dt = –50a/ µ s 效能曲线

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