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资料编号：334348
 
资料名称：FS50AS-03
 
文件大小： 42.84K
   
说明：
 
介绍:
Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE
 
 


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二月.1999
mitsubishi nch 电源 场效应晶体管
fs50as-03
高-速 切换 使用
门-源 电压
vs.门 承担
(典型)
门 承担 q
g
(nc)
门-源 电压 v
GS
(v)
源-流 二极管
向前 特性
(典型)
源-流 电压 v
SD
(v)
源 电流 i
S
(一个)
频道 温度 tch (°c)
流-源 在-状态 阻抗 r
ds (在)
(t°c)
门槛 电压 vs.
频道 温度
(典型)
门-源 门槛
电压 v
gs (th)
(v)
瞬时 热的 阻抗
特性
频道 温度 tch (°c)
损坏 电压 vs.
频道 温度
(典型)
脉冲波 宽度 t
w
(s)
瞬时 热的 阻抗 z
th
(ch–c)
(°c/w)
在-状态 阻抗 vs.
频道 温度
(典型)
流-源 在-状态 阻抗 r
ds (在)
(25°c)
频道 温度 tch (°c)
流-源 损坏 电压 v
(br) dss
(t°c)
流-源 损坏 电压 v
(br) dss
(25°c)
10
–1
10
0
2
3
4
5
7
10
1
2
3
4
5
7
–50 0 50 100 150
V
GS
= 10v
I
D
= 1/2i
D
脉冲波 测试
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
–50 0 50 100 150
V
GS
= 0v
I
D
= 1ma
0
4
8
12
16
20
0 1020304050
V
DS
= 10v
tch = 25°c
I
D
= 50a
20V
25V
0
25
50
75
100
0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0
V
DS
= 0v
脉冲波 测试
T
C
= 125°c
75°C
25°C
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
–50 0 50 100 150
V
DS
= 10v
I
D
= 1ma
10
–2
10
–1
2
3
5
7
10
0
2
3
5
7
10
1
2
3
5
7
10
–4
23 57 23 57 23 57 23 57
10
0
23 57
10
1
23 57
10
2
10
–3
10
–2
10
–1
P
DM
tw
D
=
T
tw
T
d = 1.0
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
单独的 脉冲波
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