首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:339163
 
资料名称:FZT857
 
文件大小: 142.05K
   
说明
 
介绍:
NPN SILICON PLANAR HIGH CURRENT (HIGH PERFORMANCE)TRANSISTOR
 
 


: 点此下载
  浏览型号FZT857的Datasheet PDF文件第1页
1

2
浏览型号FZT857的Datasheet PDF文件第3页
3
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
电的 特性 (在 t
amb
= 25°c 除非 否则 陈述)
参数 标识 最小值 典型值 最大值 单位 情况.
集电级-根基 损坏
电压
V
(br)cbo
350 475 V
I
C
=100
一个
集电级-发射级
损坏 电压
V
(br)cer
350 475 V
I
C
=1
一个, rb

1k
集电级-发射级
损坏 电压
V
(br)ceo
300 350 V I
C
=10mA*
发射级-根基 损坏
电压
V
(br)ebo
68 V
I
E
=100
一个
集电级 截-止 电流 I
CBO
50
1
nA
一个
V
CB
=300V
V
CB
=300v,
T
amb
=100°C
集电级 截-止 电流 I
CER
R
1k
50
1
nA
一个
V
CB
=300V
V
CB
=300v,
T
amb
=100°C
发射级 截-止 电流 I
EBO
10 nA V
EB
=6V
集电级-发射级
饱和 电压
V
ce(sat)
100
155
230
345
mV
mV
mV
mV
I
C
=500ma, i
B
=50mA*
I
C
=1a, i
B
=100mA*
I
C
=2a, i
B
=200mA*
I
C
=3.5a, i
B
=600mA*
根基-发射级
饱和 电压
V
是(sat)
1250 mV I
C
=3.5a, i
B
=600mA*
根基-发射级
转变-在 电压
V
是(在)
1.12 V I
C
=3.5a, v
CE
=10V*
静态的 向前
电流 转移
比率
h
FE
100
100
15
200
200
25
15
300
I
C
=10ma, v
CE
=5V
I
C
=500ma, v
CE
=10V*
I
C
=2a, v
CE
=10V*
I
C
=3a, v
CE
=10V*
转变 频率 f
T
80 MHz I
C
==100ma, v
CE
=10V
f=50MHz
输出 电容 C
obo
11 pF V
CB
=20v, f=1mhz
切换 时间 t
t
100
5300
ns
ns
I
C
=250ma, i
B1
=25mA
I
B2
=25ma, v
CC
=50V
*measured 下面 搏动 情况. 脉冲波 宽度=300
s. 职责 循环
2%
额外的刺激 参数 数据 是 有 在之上 要求 为 这个 设备
FZT857
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com