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sot223 npn 硅 planar 高 电流
(高 效能)晶体管
公布 4 - 九月 1997
特性
* 向上 至 3.5 放大器 持续的 集电级 电流, 向上 至 5 放大 顶峰
*V
CEO
= 300v
* 非常 低 饱和 电压
* 极好的 h
FE
指定 向上 至 3 放大器
partmarking detail - FZT857
complementary 类型 - FZT957
绝对 最大 比率.
参数 标识 值 单位
集电级-根基 电压 V
CBO
350 V
集电级-发射级 电压 V
CEO
300 V
发射级-根基 电压 V
EBO
6V
顶峰 脉冲波 电流 I
CM
5A
持续的 集电级 电流 I
C
3.5 一个
电源 消耗 在 t
amb
=25°C P
tot
3W
运行 和 存储 温度 范围 T
j
:t
stg
-55 至 +150 °C
*the 电源 这个 能 是 dissipated 假设 这 设备 是 挂载 在 一个 典型 manner 在 一个
p.c.b. 和 铜 equal 至 2 英寸 正方形的.
FZT857
C
C
E
B

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sot223 npn 硅 planar 高电流 (高效能)晶体管公布 4 - 九月 1997 特性 * 向上至 3.5 放大器持续的集电级电流, 向上至 5 放大顶峰 V CEO = 300v 非常低饱和电压 * 极好的 h FE 指定向上至 3 放大器 partmarking detail - FZT857 complementary 类型 - FZT957 绝对最大比率. 参数标识值单位集电级-根基电压 V CBO 350 V 集电级-发射级电压 V CEO 300 V 发射级-根基电压 V EBO 6V 顶峰脉冲波电流 I CM 5A 持续的集电级电流 I C 3.5 一个电源消耗在 t amb =25°C P tot 3W 运行和存储温度范围 T j :t stg -55 至 +150 °C *the 电源这个能是 dissipated 假设这设备是挂载在一个典型 manner 在一个 p.c.b. 和铜 equal 至 2 英寸正方形的. FZT857 C C E B

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