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sot223 pnp 硅 planar 高 电流
(高 效能) 晶体管
公布 2 - 十一月 1995
特性
* 极其 低 相等的 在-阻抗;
R
ce(sat)
* 6 放大器 持续的 电流
* 向上 至 20 放大器 顶峰 电流
* 非常 低 饱和 电压
* 极好的 h
FE
特性 指定 upto 20 放大器
partmarking 详细信息 — 设备 类型 在 全部
绝对 最大 比率.
参数 标识 FZT948 FZT949 单位
集电级-根基 电压 V
CBO
-40 -50 V
集电级-发射级 电压 V
CEO
-20 -30 V
发射级-根基 电压 V
EBO
-6 V
顶峰 脉冲波 电流 I
CM
-20 一个
持续的 集电级 电流 I
C
-6 -5.5 一个
电源 消耗 在 t
amb
=25°C P
tot
3W
运行 和 存储 温度
范围
T
j
:tstg -55 至 +150 °C
*the 电源 这个 能 是 dissipated 假设 这 设备 是 挂载 在 一个 典型 manner 在 一个
p.c.b. 和 铜 equal 至 4 正方形的 inch 最小
FZT948
FZT949
C
C
E
B
TBA

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sot223 pnp 硅 planar 高电流 (高效能) 晶体管公布 2 - 十一月 1995 特性 * 极其低相等的在-阻抗; R ce(sat) * 6 放大器持续的电流 * 向上至 20 放大器顶峰电流 * 非常低饱和电压 * 极好的 h FE 特性指定 upto 20 放大器 partmarking 详细信息 — 设备类型在全部绝对最大比率. 参数标识 FZT948 FZT949 单位集电级-根基电压 V CBO -40 -50 V 集电级-发射级电压 V CEO -20 -30 V 发射级-根基电压 V EBO -6 V 顶峰脉冲波电流 I CM -20 一个持续的集电级电流 I C -6 -5.5 一个电源消耗在 t amb =25°C P tot 3W 运行和存储温度范围 T j :tstg -55 至 +150 °C *the 电源这个能是 dissipated 假设这设备是挂载在一个典型 manner 在一个 p.c.b. 和铜 equal 至 4 正方形的 inch 最小 FZT948 FZT949 C C E B TBA

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