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资料编号：339175
 
资料名称：FZT948
 
文件大小： 216.5K
   
说明：
 
介绍:
PNP SILICON PLANAR HIGH CURRENT (HIGH PERFORMANCE) TRANSISTORS
 
 


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FZT949
0.01 0.1 20110
1.0
0.8
0.6
0.4
0
0.2
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0
0.2
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0
0.2
1.6
1.4
1.2
0.01 0.1 20110
1.0
0.8
0.6
0.4
0
0.2
1.6
1.4
1.2
典型 特性
V
ce(sat)
v i
C
I
C
-
集电级 电流 (放大器)
V
C
E
(
s
一个
t
)
-
(
V
o
l
t
s
)
T
amb
=25°C
V
ce(sat)
v i
C
I
C
-
集电级 电流 (放大器)
V
C
E
(
s
一个
t
)
-
(
V
o
l
t
s
)
I
C
-
集电级 电流 (放大器)
I
C
-
集电级 电流 (放大器)
h
FE
v i
C
V
是(sat)
v i
C
I
C
-
集电级 电流 (放大器)
V
是(在)
v i
C
h
F
E
-
N
o
r
m
一个
l
i
s
e
d
G
一个
i
n
V
B
E
(
s
一个
t
)
-
(
V
o
l
t
s
)
V
B
E
-
(
V
o
l
t
s
)
I
C
/i
B
=10
I
C
/i
B
=50
V
CE
=1V
-55°c
+25°C
+100°C
+175°C
0.001 0.01 0.1 20110
-55°c
+25°C
+175°C
I
C
/i
B
=10
0.001
0.01 0.1 20110
I
C
/i
B
=10
-55°c
+25°C
+100°C
+175°C
0.001
+100°C
+25°C
-55°c
0.01 0.1 20
1
10
1.0
0.8
0.6
0.4
0
0.2
1.6
1.4
1.2
V
CE
=1V
300
200
100
h
FE
- 典型 增益
0.001
0.001
safe 运行 范围
单独的 脉冲波 测试 t
amb
=25
°
C
I
C
- 集电级 电流 (一个)
0.1
1
1
10
100
V
ce
- 集电级 电压 (v)
10
直流
10ms
1ms
100
µ
s
100ms
1s
100
0.1
TBA
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