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资料编号:34168
 
资料名称:28F128J3A
 
文件大小: 380.43K
   
说明
 
介绍:
3 Volt Intel StrataFlash Memory
 
 


: 点此下载
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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
28f128j3a, 28f640j3a, 28f320j3a
初步的
3
表格 1. 含铅的 描述
标识 类型 名字 和 函数
一个
0
输入
字节-选择 地址:
选择 在 高 和 低 字节 当 这 设备 是 在 x8 模式. 这个
地址 是 latched 在 一个 x8 程序 循环. 不 使用 在 x16 模式 (i.e., 这 一个
0
输入 缓存区 是 转变
止 当 byte# 是 高).
一个
1
一个
23
输入
地址 输入:
输入 为 地址 在 读 和 程序 行动. 地址 是
内部 latched 在 一个 程序 循环.
32-mbit: 一个
0
一个
21
64-mbit: 一个
0
一个
22
128-mbit: 一个
0
一个
23
DQ
0
DQ
7
输入/
输出
低-字节 数据 总线:
输入 数据 在 缓存区 写 和 程序编制, 和 输入 commands
在 command 用户 接口 (cui) 写. 输出 排列, query, identifier, 或者 状态 数据 在 这
适合的 读 模式. floated 当 这 碎片 是 de-选择 或者 这 输出 是 无能. 输出
DQ
6
DQ
0
是 也 floated 当 这 写 状态 机器 (wsm) 是 busy. 审查 sr.7 (状态 寄存器
位 7) 至 决定 wsm 状态.
DQ
8
DQ
15
输入/
输出
高-字节 数据 总线:
输入 数据 在 x16 缓存区 写 和 程序编制 行动. 输出
排列, query, 或者 identifier 数据 在 这 适合的 读 模式; 不 使用 为 状态 寄存器 读. floated
当 这 碎片 是 de-选择, 这 输出 是 无能, 或者 这 wsm 是 busy.
CE
0
,
CE
1
,
CE
2
输入
碎片 使能:
activates 这 设备
s 控制 逻辑, 输入 缓存区, decoders, 和 sense 放大器.
当 这 设备 是 de-选择 (看表格 2 在 页 7), 电源 减少 至 备用物品 水平.
所有 定时 规格 是 这 一样 为 这些 三 信号. 设备 选择 occurs 和 这 第一
边缘 的 ce
0
, ce
1
, 或者 ce
2
那 使能 这 设备. 设备 deselection occurs 和 这 第一 边缘 的
CE
0
, ce
1
, 或者 ce
2
那 使不能运转 这 设备 (看表格 2 在 页 7).
RP# 输入
重置/ 电源-向下:
resets 内部的 automation 和 puts 这 设备 在 电源-向下 模式. rp#-
高 使能 正常的 运作. exit 从 重置 sets 这 设备 至 读 排列 模式. 当 驱动 低,
rp# inhibits 写 行动 这个 提供 数据 保护 在 电源 transitions.
OE# 输入
输出 使能:
activates 这 设备
s 输出 通过 这 数据 缓存区 在 一个 读 循环. oe# 是
起作用的 低.
WE# 输入
写 使能:
控制 写 至 这 command 用户 接口, 这 写 缓存区, 和 排列 blocks.
we# 是 起作用的 低. 地址 和 数据 是 latched 在 这 rising 边缘 的 这 we# 脉冲波.
STS
打开
输出
状态:
indicates 这 状态 的 这 内部的 状态 机器. 当 配置 在 水平的 模式 (default
模式), 它 acts 作 一个 ry/by# 管脚. 当 配置 在 一个 的 它的 脉冲波 模式, 它 能 脉冲波 至 表明
程序 和/或者 擦掉 completion. 为 alternate 配置 的 这 状态 管脚, 看 这
配置 command. 系 sts 至 v
CCQ
和 一个 拉-向上 电阻.
BYTE# 输入
字节 使能:
byte# 低 places 这 设备 在 x8 模式. 所有 数据 是 然后 输入 或者 输出 在 dq
0
DQ
7
, 当 dq
8
DQ
15
float. 地址 一个
0
选择 在 这 高 和 低 字节. byte# 高 places
这 设备 在 x16 模式, 和 转变 止 这 一个
0
输入 缓存区. 地址 一个
1
然后 变为 这 最低 顺序
地址.
V
PEN
输入
擦掉 / 程序 / 块 锁 使能:
为 erasing 排列 blocks, 程序编制 数据, 或者
configuring 锁-位.
和 v
PEN
V
PENLK
, 记忆 内容 不能 是 改变.
V
CC
供应
设备 电源 供应:
和 v
CC
V
LKO
, 所有 写 attempts 至 这 flash 记忆 是 inhibited.
V
CCQ
输出
缓存区
供应
输出 缓存区 电源 供应:
这个 电压 控制 这 设备
s 输出 电压. 至 获得
输出 电压 兼容 和 系统 数据 总线 电压, 连接 v
CCQ
至 这 系统 供应 电压.
供应
地面:
做 不 float 任何 地面 管脚.
NC
非 连接:
含铅的 是 不 内部 连接; 它 将 是 驱动 或者 floated.
DU DON
t 使用:
做 不 驱动 球 至 v
IH
或者 v
IL
, leave disconnected
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