IRG4P254S
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参数 最小值 典型值 最大值 单位 情况
Q
g
总的 门 承担 (转变-在)
—
200 300 I
C
=55A
Q
ge
门 - 发射级 承担 (转变-在)
—
29 44 nC V
CC
= 200v 看 图. 8
Q
gc
门 - 集电级 承担 (转变-在)
—
66 99 V
GE
= 15v
t
d(在)
转变-在 延迟 时间
—
40
—
t
r
上升 时间
—
44
—
T
J
= 25
°
C
t
d(止)
转变-止 延迟 时间
—
270 400 I
C
= 55a, v
CC
= 200v
t
f
下降 时间
—
510 760 V
GE
= 15v, r
G
= 5.0
Ω
E
在
转变-在 切换 丧失
—
0.38
—
活力 losses 包含 "tail"
E
止
转变-止 切换 丧失
—
3.50
—
mJ 看 图. 9, 10, 14
E
ts
总的 切换 丧失
—
3.88 5.3
t
d(在)
转变-在 延迟 时间
—
38
—
T
J
= 150
°
c,
t
r
上升 时间
—
45
—
I
C
= 55a, v
CC
= 200v
t
d(止)
转变-止 延迟 时间
—
400
—
V
GE
= 15v, r
G
= 5.0
Ω
t
f
下降 时间
—
940
—
活力 losses 包含 "tail"
E
ts
总的 切换 丧失
—
6.52
—
mJ 看 图. 11, 14
L
E
内部的 发射级 电感
—
13
—
nH 量过的 5mm 从 包装
C
ies
输入 电容
—
4500
—
V
GE
= 0v
C
oes
输出 电容
—
510
—
pF V
CC
=30V 看 图. 7
C
res
反转 转移 电容
—
100
—ƒ
= 1.0mhz
参数 最小值 典型值 最大值 单位 情况
V
(br)ces
集电级-至-发射级 损坏 电压 250
——
VV
GE
= 0v, i
C
= 250µa
V
(br)ecs
发射级-至-集电级 损坏 电压
18
——
VV
GE
= 0v, i
C
= 1.0a
∆
V
(br)ces
/
∆
T
J
温度 coeff. 的 损坏 电压
—
0.33
—
v/
°
CV
GE
= 0v, i
C
= 1.0ma
—
1.32 1.5 I
C
= 55a v
GE
= 15v
V
ce(在)
集电级-至-发射级 饱和 电压
—
1.69
—
I
C
=98A 看 图.2, 5
—
1.31
—
I
C
=55a , t
J
= 150
°
C
V
ge(th)
门 门槛 电压 3.0
—
6.0 V
CE
= v
GE
, i
C
= 250µa
∆
V
ge(th)
/
∆
T
J
温度 coeff. 的 门槛 电压
—
-12
—
mv/
°
CV
CE
= v
GE
, i
C
= 250µa
g
fe
向前 跨导
43 63
—
SV
CE
=
100v, i
C
= 55a
——
250 V
GE
= 0v, v
CE
= 250v
——
2.0 V
GE
= 0v, v
CE
= 10v, t
J
= 25
°
C
——
1000 V
GE
= 0v, v
CE
= 250v, t
J
= 150
°
C
I
GES
门-至-发射级 泄漏 电流
——
±100 nA V
GE
= ±20v
电的 特性 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
I
CES
零 门 电压 集电级 电流
V
µA
切换 特性 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
ns
ns
脉冲波 宽度
≤
80µs; 职责 因素
≤
0.1%.
脉冲波 宽度 5.0µs, 单独的 shot.
注释:
repetitive 比率; v
GE
= 20v, 脉冲波 宽度 限制 用
最大值 接合面 温度. ( 看 图. 13b )
V
CC
= 80%(v
CES
), v
GE
= 20v, l = 10µh, r
G
= 5.0
Ω
,
(看 图. 13a)
repetitive 比率; 脉冲波 宽度 限制 用 最大
接合面 温度.
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