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资料编号:342260
 
资料名称:IRG4P254S
 
文件大小: 134.16K
   
说明
 
介绍:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISOR
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IRG4P254S
4 www.irf.com
图. 6
- 最大 有效的 瞬时 热的 阻抗, 接合面-至-情况
图. 5
- 典型 集电级-至-发射级 电压
vs. 接合面 温度
图. 4
- 最大 集电级 电流 vs. 情况
温度
25 50 75 100 125 150
0
20
40
60
80
100
t , 情况 温度 ( c)
最大 直流 集电级 电流(一个)
C
°
0.001
0.01
0.1
1
0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 1
注释:
1. duty 因素 d =t / t
2. 顶峰 t = P x z + t
1 2
J DM thJC C
P
t
t
DM
1
2
t , rectangular 脉冲波 持续时间 (秒)
热的 回馈 (z )
1
thJC
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
d = 0.50
单独的 脉冲波
(热的 回馈)
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
1.0
2.0
3.0
t , 接合面 温度 ( c)
v , 集电级-至-发射级 电压(v)
J
°
CE
v = 15v
80 美国 脉冲波 宽度
GE
i = 一个27.5
C
i = 一个55
C
i = 一个110
C
电流 限制 用 这 包装
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